Cтраница 2
Правильность выбора транзистора проверяют с точки зрения допустимой мощности рассеивания на коллекторе РК. [16]
После выбора транзисторов производится расчет параметров остальных элементов мультивибраторов. При расчете параметров элементов должны учитываться индивидуальные особенности схемы каждого конкретного типа мультивибратора. [17]
После выбора транзисторов необходимо определить их режим работы ( рабочие токи и напряжения на электродах), экстремальные значения коэффициентов усиления Рмакс и ipM1IH и обратные токи электродов при выбранных режимах работы транзисторов. [18]
После выбора транзисторов определяются режимы их работы и вычисляются напряжения источников питания. [19]
После выбора транзисторов необходимо определить их режимы работы ( рабочие токи и напряжения на электродах), экстремальные значения коэффициентов усиления Рмакс и РМИН, и обратные токи электродов при выбранных режимах работы транзисторов. [20]
После выбора транзисторов определяются режимы их работы и вычисляются напряжения источников питания. [21]
После выбора транзистора и полного расчета выходного каскада по высоким частотам необходимое изменение тока определяется заново при уточненном значении RK. Тогда требования по максимальному току к выходному транзистору снижаются, что позволяет выбрать транзистор с меньшим максимально допустимым током. [22]
При выборе транзисторов по току необходимо, чтобы расчетное значение тока к. [23]
При выборе транзистора исходят из характера радиоэлектронной схемы, а также требований к ее выходным электрическим параметрам и эксплуатационным режимам. Особое значение имеет диапазон рабочих температур конструируемого устройства в целом. Необходимо иметь в виду, что кремниевые транзисторы по сравнению с германиевыми лучше работают при повышенной температуре ( вплоть до 125 С), но их коэффициент передачи по току сильно уменьшается при низких температурах. Это обстоятельство заставляет использовать при низких температурах большее количество транзисторов для получения заданного усиления. Кроме того, кремниевые транзисторы в области малых токов имеют более резкую зависимость параметров ( Л21э и ДР -) от тока эмиттера. [24]
При выборе транзистора по ик-э max следует иметь в виду специфику его работы в схеме ключевого усилителя. [25]
При выборе транзистора следует учитывать, что напряжение на коллекторе закрытого транзистора может существенно превышать напряжение источника питания из-за ЭДС обратного выброса, возникающей при запирании транзистора и направленной согласно с напряжением Ек. Для устранения обратного выброса коллекторного напряжения или колебательного процесса в коллекторной цепи параллельно обмотке реле включают диод, который отпирается, если напряжение на коллекторе превысит напряжение Ек и шунтирует обмотку реле. [26]
При выборе транзистора следует учитывать, что при производстве мощных транзисторов гораздо легче выполнить требования по импульсному току, чем по напряжению. [27]
При выборе транзистора и сопротивления RQ эти обстоятельства должны быть приняты во внимание. [28]
При выборе транзистора обязательно должна быть учтена его стоимость, перспективность, возможность получения от промышленности в необходимых количествах и требования к надежности аппаратуры. [29]
При выборе транзисторов для схем измерения температуры в тепловых преобразователях расхода необходимо в первую очередь учитывать ограничения по размерам: они должны быть как можно меньше. Наиболее подходящими с этой точки зрения транзисторами являются корпусные транзисторы типа ГТ109, ГТ310, бескорпусные типа КТ324 и др. Используемые транзисторы должны иметь по возможности большее значение коэффициента усиления по току. Это позволит увеличить точность измерения температуры, которая может достигать О. [30]