Cтраница 2
Промежуток времени Т от момента обращения к ЗУ до окончания выборки слова называется временем выборки. Через время Тв после обращения к ЗУ выбираемое слово находится на регистре ЗУ и может передаваться в другие устройства ЦВМ. Следующая выборка не может начинаться ранее, чем завершится полный цикл Т работы ЗУ. Обычно время выборки Тв составляет 0 5 - 0 7 от периода обращения. В современных ЗУ на магнитных сердечниках период обращения лежит в пределах от 1 5 до 10 мксек и для лучших образцов устройств может достигать 0 4 - 0 8 мксек при емкости ЗУ порядка десяти тысяч слов. Наибольшее быстродействие достигается при использовании в запоминающей части ЗУ пленочных магнитных элементов. Быстродействие ЗУ зависит от его емкости. ЗУ меньшей емкости имеют более высокое быстродействие. ЗУ на магнитных сердечниках относятся к классу устройств с произвольным доступом к информации. При этом имеется в виду, что к любому слову, хранимому в устройстве, обращение может выполняться в любой момент времени и за один и тот же промежуток времени, определяемый быстродействием ЗУ. [16]
Время цикла записи - считывания равно 1 2 мкс, время выборки слова 1 0 мкс. [17]
УВ избираются такими, чтобы ток насыщенного транзистора замыкался через шину выборки слова. Изменение тока в разрядной шине регистрируется усилителем считывания. При записи кроме импульса выборки на разрядных шинах устанавливаются напряжения, необходимые для переключения элемента в нужное состояние. [18]
![]() |
Структурная схема генератора скорости передачи данных SAI. [19] |
Передатчики имеют один механизм управления, поэтому тактовый сигнал, линия выборки слова данных и все управляющие сигналы, сгенерированные в секции передатчика, одновременно влияют на все три передатчика. [20]
Длина массива новых ССП определяется количеством уровней прерывания в системе, а выборка слова из этого массива управляется, например, базовым адресом прерывания и номером уровня, формируемым аппаратурой во время приема запроса прерывания. Таким образом, новые ССП фиксированы относительно уровней прерывания. [21]
Неисправности ИС ОЗУ обычно проявляются как неисправности одного бита, линии выборки разряда, линии выборки слова, обеих линий, всей ИС. [22]
![]() |
Схемы ЗИЛИ-НЕ на ИС с инжекционным питанием. [23] |
Коллекторы их присоединены соответственно к базам транзисторов Т и 7 t, к которым также подключена шина выборки слова X. Выходы транзисторов Т3 и Т управляют работой триггера Т - Гз, являющегося хранителем информации. [24]
С этой целью адрес команды, хранимый на счетчике СчАК, передается в регистр адреса РгЛЗУ и посылается сигнал выборки слова из ЗУ. В общем случае время выполнения операции в ЗУ не соответствует такту работы ЦУУ и выполнение микропрограммы может быть продолжено только по окончании операции в ЗУ. Этот факт отмечается в микропрограмме ждущей вершиной, соответствующей условной вершине, один выход которой связан с входом. В момент Z3y О на регистре РгЗУ хранится код команды, выбранной из заданной ячейки ЗУ. [25]
Память в автомате предполагается устроенной таким образом, что при выборе ( считывании) слбва из какой-либо ячейки памяти информация в этой ячейке не разрушается, так что выборка слова из любой данной ячейки может осуществляться неограниченное число раз, коль скоро это слово было помещено в ячейку. При записи в ячейку нового слова содержавшаяся в ней ранее информация уничтожается. [26]
Назначение выводов: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 12 - информационные входы; 8 - общий; 9 - вход выборки слова; 10 - стробирующий вход; 11 - выход четвертого разряда; 13 - выход третьего разряда; 1 4 - выход второго разряда; 15 - выход первого разряда; 16 - напряжение питания. [27]
Назначение выводов: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 12 - информационные входы; 8 - общий; 9 - вход выборки слова; 10 - стробирующий вход; 11 - выход четвертого разряда; 13 - выход третьего разряда; 14 - выход второго разряда; 15 - выход первого разряда; 16 - напряжение питания. [28]
Массив старых ССП адресуется специальным регистром АЗП ( адрес запоминания), который при каждом запоминании слова в массив увеличивает свое содержимое на единицу младшего разряда, а при выборке слова из массива - уменьшает на единицу. Массив старых ССП образует таким образом магазинную память. [29]
Память мультиплексного канала, или устройство ЕС-3415, представляет собой оперативное запоминающее устройство на ферритовых сердечниках типа 2D емкостью 1024 72-разрядных слова; полный цикл работы памяти около 1 мкс; время выборки слова Твь б 0 5 мкс. Емкость мультиплексной памяти обеспечивает одновременное хранение управляющих слов для всех подключаемых к мультиплексному каналу внешних устройств. [30]