Выброс - напряжение
Cтраница 1
Выброс напряжения на диоде в начальный момент времени связан у точечных диодов с падением напряжения на сопротивлении растекания Rs, которое в начальный момент времени в соответствии с формулой ( 119) имеет величину порядка 102 - 103 ом. С течением времени, когда дырки начинают заполнять базу, общее число носителей в ней увеличивается и удельное сопротивление полупроводника падает. Это явление называется модуляцией проводимости и наиболее сильно проявляется в точечных контактах, у которых сопротивление растекания сосредоточено в малом объеме полупроводника под контактом. [1]
Выброс напряжения уменьшается при увеличении числа линий в генераторе. [2]
Выброс напряжения на запираемом ключе, вызванный индуктивностью L, приводит к необходимости применять более высоковольтный, более дорогой транзистор, имеющий большее сопротивление в открытом состоянии Rcu отк. Поэтому снижение выброса напряжения на ключе ( шпильки напряжения на языке инженеров) является задачей, требующей внимания при разработке. [4]
Выброс напряжения на ключе Г значительно снижается. [6]
Допускается выброс напряжения коллектор-эмиттер до 37 В длительностью не более 10 мкс в схеме преобразователя напряжения. [7]
Допускается выброс напряжения длительностью до 10 мкс для 1Т901А до 50 В, для 1Т901Б до 40 В. [8]
Допускается выброс напряжения до 37 В длительностью не более 10 мкс. [9]
Допускается выброс напряжения коллектор-эмиттер до 37 В длительностью не более 10 мкс в схеме преобразователя напряжения. [10]
При этом выброс напряжения на фронте во всех случаях практически отсутствует. Принимая во внимание сказанное ранее о зависимости объема магнитопровода от длительности фронта импульса, приведенные данные позволяют сделать вывод, что учет нелинейных свойств нагрузки позволяет при проектировании импульсного трансформатора значительно уменьшить ошибку в определении объема магнитопровода. Поэтому учет нелинейных свойств нагрузки следует считать практически необходимым. [11]
 |
Снижение выброса напряжения на запираемом транзисторе. [12] |
Защита от выбросов напряжения на запираемом ключе может быть также выполнена с использованием стабилитронов или супрессоров. [13]
Для ограничения выброса напряжения на коллекторе транзистора при его запирании можно использовать ограничитель на стабилитроне D, как показано на рис. 7.7 в. Все рассмотренные цепи ограничивают предельное напряжение на транзисторе и тем самым предохраняют транзистор от попадания в режим лавинного пробоя. [14]
 |
Схема подключения расширителей. [15] |
Страницы: 1 2 3 4