Отрицательные выбросы - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Когда-то я был молод и красив, теперь - только красив. Законы Мерфи (еще...)

Отрицательные выбросы

Cтраница 2


16 Характеристика вход-выход ТТЛ элемента.| ТТЛ элемент. [16]

Так как вся ИС изготовляется с помощью процессов диффузии на общей кремниевой подложке, то коллекторная область каждого из транзисторов образует по отношению к подложке обратносмещенный диод. Наиболее заметное влияние на внешние характеристики ТТЛ ИС оказывают паразитные диоды Дб и ДУ, показанные на рис. 7.27 пунктиром. Эти диоды ограничивают отрицательные выбросы напряжения во входных и выходных цепях схем.  [17]

Естественно, что изменение граничных условий меняет и зависимость а от глубины. Характерно, что третий момент ( асимметрия) пульсаций на глубине около Z - 0 9 меняет знак от отрицательного на положительный. Это говорит о том, что отрицательные выбросы температуры, связанные с опусканием термиков, сменяются на положительные, вызванные прохождением областей подъема.  [18]

Крутизна склонов частотной характеристики и избирательность УПЧИ связаны между собой. В результате синусоидальные составляющие видеосигнала складываются с опережением или с запаздыванием фазы, и форма принятого видеосигнала искажается - на нем появляются всплески - положительные или отрицательные выбросы.  [19]

Во время срыва происходит сброс энергии из плазмы, сопровождаемый сильными МГД-колебаниями и уплощением профиля распределения плотности тока по радиусу. Неустойчивость срыва может приводить к полному разрушению плазменного шнура и прекращению тока в плазме - в этом случае говорят о так называемом большом срыве. Наряду с ними существуют малые срывы - сбросы части энергии из плазмы, которые могут повторяться многократно, не разрушая полностью шнур. И в малых, а тем более в больших срывах на осциллограмме напряжения обхода V ( t) наблюдаются отрицательные выбросы, что соответствует выталкиванию из плазмы некоторой доли полоидального магнитного потока.  [20]

Среди известных стабилизаторов положительного напряжения, спроектированных на основе таймеров, наиболее удачной является структура на рис. 6.13. Она содержит цепи регулирующей обратной связи и защиты выходного мощного транзистора от короткого замыкания. Пока выходное напряжение меньше падения напряжения f / CT на открытом стабилитроне VD1, транзистор VT5 заперт и не влияет на работу таймера. Таким образом модулируется длительность времени t передачи мощности от источника питания С / п к нагрузке. Эта цепь ограничивает максимальный ток через VT2 на уровне 0 7 B / iR3 - Если падение напряжения на R3 при увеличении тока в нагрузке становится больше 0 7 В, то транзисторы VT3, VT4 насыщаются. Вследствие этого напряжение на выводе 4 уменьшается до 0 1 В, генерирование таймером импульсов прекращается, на его выходе устанавливается напряжение около 0 1 В. При этом транзисторы VT1, VT2 закрываются. Генерирование таймером импульсов возобновится только после того, как будут устранены причины перегрузки VT2 по току. Для защиты VT2 от перегрузок по напряжению в схему введен диод VD1, ограничивающий отрицательные выбросы напряжения на коллекторе VT2 при напряжении - 1 В.  [21]



Страницы:      1    2