Cтраница 4
При этом запрещается прилагать к изолированному выводу диода усилие, превышающее 9 8 Н ( 1 кгс), что может привести к нарушению целостности стеклянного изолятора. [46]
Не допускается приложение изгибающего усилия к выводу диода более 15 Н на расстоянии не более 2 мм от конца вывода. [47]
Категорически запрещается при монтаже прилагать к изолированному выводу диода усилие, превышающее 9 8 Н, что может привести к нарушению целостности стеклянного изолятора. [48]
При монтаже должно быть обеспечено отсутствие натяжений выводов диода. [49]
Для проверки диода следует замерить сопротивление на выводах диода, меняя местами концы от измерительного прибора. Расположение выводов диод исправен. Диод неисправен, если оба из - транзистора П4БЭ и его схема: мерения дадут либо нуль, либо бесконечность. [50]
Общая емкость Сд - емкость, измеренная между выводами диода при заданных напряжении смещения и частоте. [51]
При последовательном соединении вывод одного диода соединяют с выводом другого однотипного диода таким образом, чтобы стрелки, нарисованные на корпусах диодов ( рис. 29, А, Ь), были направлены в одну и ту же сторону. Оба диода должны быть расположены друг за другом ( последовательно) по одной прямой линии. Выводы диодов, не спаянные друг с другом, подключают к схеме. [52]