Вывод - затвор
Cтраница 1
 |
Схема проверки тиристоров.| Схема проверки полевых транзисторов.| Схема проверки транзистора с помощью омметра ( авометра. [1] |
Вывод затвора соединяют с выводом истока проволочной перемычкой. [2]
Вывод затвора в изображении полевых транзисторе ] смещается ближе к истоковому выводу. Изображение канала с обогащением штриховой линией символизирует отсутствие про водимости между стоком и истоком при нулевом напряженш затвор-исток. На рис. 5.17 а символами и - обозначень полярности напряжений на электродах для нормального режи ма работы полевого транзистора. Подложка 55 обычно подклю чается к истоку или к одному из полюсов источника питания. [3]
 |
Построение форсиру-гошей цепи управления мощным МДП-транзистором в схеме с общим стоком.| Паразитные реактивные элементы в цепи управления мощным МДП-транзистором ( La - монтажная индуктивность. [4] |
Ом или на вывод затвора ( ближе к корпусу МДП-транзистора) надевают экранирующую ферритовую бусинку; можно в таких случаях использовать МДП-тран-зистор с кремниевым затвором, который имеет собственное сопротивление. [5]
 |
Типовые передаточные характеристики полевых транзисторов. [6] |
Направление стрелки на выводе затвора указывает тип проводимости канала. [7]
Схема на полевом транзисторе, в которой вывод затвора для сигнала заземлен. Аналогична схеме с общей базой для биполярного транзистора. [8]
Входная емкость полевого транзистора С; - емкость между выводом затвора и соединенными вместе выводами истока и стока. [9]
В случае питания транзисторов от двух источников необходимо предусмотреть следующую последовательность задачи напряжений на выводы транзистора: сначала подается напряжение на вывод затвора, затем - на вывод стока. [10]
С двух широких сторон этой пластины созданы р-области с более высокой концентрацией примеси, чем у основного полупроводника, к которым подводится вывод затвора. С двух других сторон пластины созданы невыпрямляющие контакты истока И и стока С. При включении прибора в схему на сток подается положительный потенциал относительно истока. [11]
Спиральная р - рбласть, заключенная в толще высокоомного электронного кремния, будет выполнять роль затвора. Низкоомные п - области будут представлять собой сток и исток. Остается снять часть структуры, обеспечив доступ к спирали, и подсоединить к ней вывод затвора. В этой структуре аналогия с вакуумным триодом является почти полной. [12]
Исходным материалом является п полупроводниковая пластина, на которой выращен эпитаксиаль-ный л - - слой. Затем в этом слое осуществляют последовательную диффузию соответствующей примеси и формируют глубокую р-область и высоколегированный л - слой истока. На данном этапе технологических операций полученная структура идентична ячейке биполярного транзистора. Однако затем, используя селективное химическое травление, в структуре формируют V-об-разные канавки, а также выращивают слой защитного окисла и создают металлизацию под вывод затвора и истока. [13]
 |
Усилитель постоянного тока с двумя входами ( а и его условное обозначение ( б. [14] |
Теперь уместно задать вопрос: каким образом изготовляются МОП-транзисторы. Из расплавленного кремния, смешанного с небольшим количеством алюминия, выращивается кристалл, из которого затем вырезается прямоугольная пластина. Через поверхность пластины методом диффузии в нужных местах вводятся примеси фосфора. Поверхность пластины над n - областями методом распыления в вакууме покрывается тонким слоем серебра, к которому затем припаиваются выводы истока и стока. Поверхность над каналом покрывается тонким слоем окиси кремния, который затем также методом распыления в вакууме покрывается слоем серебра. К этому слою припаивается вывод затвора. [15]
Страницы: 1 2