Вывод - подложка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Аксиома Коула: суммарный интеллект планеты - величина постоянная, в то время как население планеты растет. Законы Мерфи (еще...)

Вывод - подложка

Cтраница 1


1 Физическая структура МОП-транзисторов с каналом п-типа. а - встроенный канал. б - индуцированный капа. ].| Стоко-затвор-ные характеристики. [1]

Вывод подложки в большинстве случаев соединяют с истоком.  [2]

На вывод подложки р-типа можно подавать только отрицательное напряжение f / пи относительно истока, что соответствует обратному напряжению р-п-перехода исток - подложка. Прямое включение перехода исток - подложка недопустимо, так как в цепи дополнительного управляющего электрода появляется большой ток. В транзисторах, не имеющих вывода подложки, она соединена с истоком. Для транзисторов с каналами р-типа рабочие напряжения имеют противоположную полярность по сравнению с л-каналь-ными транзисторами.  [3]

В некоторых случаях вывод подложки используется в качестве второго управляющего электрода. Его управляющее действие можно оценить с помощью крутизны по подложке Su - dlc / dUnn St ], где Tf ] - dUmf / dUmi - Обычно т ] 1 и Sn-S; для увеличения Sn надо повышать концентрацию примесей в подложке.  [4]

Обычно на схемах вывод подложки не показывается; более того, часто инженеры используют символ с симметричным затвором. К сожалению, при этом не остается ничего, что позволило бы вам отличить сток от истока, но что еще хуже, нельзя отличить п-канальный транзистор от / - канального. В этой книге мы будем использовать только нижние схемные изображения, дабы исключить недоразумения, хотя часто мы будем оставлять вывод подложки неподключенным.  [5]

6 Схема монтажа бескорпусных приборов на подложку. [6]

После изготовления пассивной части БГИС и межсоединений производят установку бескорпусных полупроводниковых приборов и микросхем в специально отведенные места и присоединение их выводов к выводам подложки. Для крепления к подложке приборов с гибкими и балочными выводами используют различные стекла, термостойкие клеи, ситаллы, а также клеи на основе компаундов.  [7]

Структура имеет два вывода ( затвор и контакт к подложке) и является МДП-конденсато-ром, емкость которого зависит от напряжения Us между затвором и выводом подложки. Более сложная МДП-структура ( рис. 2.25, б) имеет сильнолегированную область истока 6, тип проводимости которой противоположен по отношению к подложке.  [8]

Из анализа структуры, показанной на рис. 2.34, следует, что конденсатор, формируемый на переходе коллектор - подложка, может иметь ограниченное применение, так как вывод подложки является общим для остальной части схемы и заземлен по переменной составляющей тока. Однако этот конденсатор является неотъемлемой частью интегральной структуры, так как присутствует во всех случаях при изоляции элементов ИМС р-п-перехо-дом. Остальные два конденсатора, формируемые на переходах эмиттер - база и база - коллектор, можно исключить из структуры, если не проводит эмиттерную или базовую диффузию.  [9]

Из анализа структуры, показанной на рис. 2.35, следует, что конденсатор, формируемый на переходе коллектор - подложка, может иметь ограниченное применение, так как вывод подложки является общим для остальной части схемы и заземлен по переменному току. Однако этот конденсатор является неотъемлемой частью структуры интегральной схемы, так как присутствует во всех случаях при изоляции р-я-переходом. Остальные два конденсатора, формируемые соответственно на переходах эмиттер - база и база - коллектор, можно исключить из структуры, если не делать эмит-терной или базовой диффузии.  [10]

На вывод подложки р-типа можно подавать только отрицательное напряжение f / пи относительно истока, что соответствует обратному напряжению р-п-перехода исток - подложка. Прямое включение перехода исток - подложка недопустимо, так как в цепи дополнительного управляющего электрода появляется большой ток. В транзисторах, не имеющих вывода подложки, она соединена с истоком. Для транзисторов с каналами р-типа рабочие напряжения имеют противоположную полярность по сравнению с л-каналь-ными транзисторами.  [11]

Обычно на схемах вывод подложки не показывается; более того, часто инженеры используют символ с симметричным затвором. К сожалению, при этом не остается ничего, что позволило бы вам отличить сток от истока, но что еще хуже, нельзя отличить п-канальный транзистор от / - канального. В этой книге мы будем использовать только нижние схемные изображения, дабы исключить недоразумения, хотя часто мы будем оставлять вывод подложки неподключенным.  [12]

13 Линейка с вакуумными шлюзами для периодической загрузки партий подложек. [13]

Как сообщалось, производительность системы равна двум подложкам в минуту. На рис. - 95 иллюстрируется еще один способ шлюзования на концах системы. Поскольку данная система для своей работы не требует дифференцированной откачки, то камеры для ввода и вывода объекта должны попеременно то заполняться воздухом, то откачиваться. Стоимость такой системы существенно ниже, чем открытой, но для нее, очевидно, характерны трудности уплотнения и обеспечения необходимых перемещений движущихся элементов самого шлюза. Если основная рабочая камера имеет достаточно большие размеры, необходимые для размещения большого числа подложек, то для ввода и вывода подложек достаточно одной вспомогательной шлюзовой камеры.  [14]



Страницы:      1