Эмиттерный вывод

Cтраница 1

Маломощный германиевый выпрямительный диод. [1]

Эмиттерный вывод принято называть анодом. Внутренний вывод анода 5 соединен со слоем эмиттера, который получают вплавлением таблетки индия б в тело германия. На рисунке 4.3, в дано условное графическое обозначение диода. [2]

Схема измерения обратного тока коллекторного перехода.| Схема измерения обратного тока эмиттерного перехода транзистора. [3]

Эмиттерный вывод не присоединяется. [4]

Этот вывод принято называть катодом. Эмиттерный вывод принято называть анодом. Внутренний вывод анода 5 соединен со слоем эмиттера, который получается вплавлением таблетки индия 6 в тело германия. На рис. 4.3, в дано условное графическое обозначение диода. Диоды средней мощности преимущественно выпускаются кремниевыми. Теплота, выделяемая в кристалле от протекания прямого тока в диодах средней мощности, уже не может быть рассеянг корпусом прибора. Для улучшения условий теплоотвода в этих диодах применяют дополнительные охладители-радиаторы. Радиаторы изготавливают из металла, обладающего хорошей теплопроводностью ( обычно сплавы алюминия) и большей площадью поверхности для лучшей передачи теплоты в окружающую среду. Чтобы уменьшить механические напряжения, возникающие от нагрева и охлаждения при работе диода, материал корпуса и трубки делают из сплава ковара ( 29 % Ni, 18 % Со и 53 % Fe), у которого коэффициент линейного расширения согласован со стеклом. Для улучшения излучающей способности радиаторы часто подвергают чернению. Для крепления радиатора корпус диода имеет стержень с винтовой нарезкой. [5]

Включение транзистора по схеме с ОЭ ( а. токораспределение внутри транзистора при нормальном режиме ( б и при С / к 0 В ( в. [6]

На рис. 5.8, а изображена схема включения транзистора с ОЭ. Общей точкой для входной и выходной цепей является эмиттерный вывод. Источник базового напряжения Еб служит для обеспечения инжекции основных носителей из р-области эмиттера в - область базы через эмиттерный переход. [7]

Энергетическая диаграмма фототранзистора, находящегося в затемненном состоянии ( а и при освещении ( б. [8]

Биполярный фототранзистор может быть включен в схему по-разному. Если подать напряжение между базой и коллектором, сместив коллекторный переход в обратном направлении и оставив эмиттерный вывод неподключенным к схеме, то такое включение бипо: лярного фототранзистора ничем не будет отличаться от схемы включения фотодиода. [9]

Энергетическая диаграмма фототранзистора, находящегося в затемненном состоянии ( а и при освещении ( б. [10]

Биполярный фототранзистор может быть включен в схему по-разному. Если подать напряжение между базой и коллектором, сместив коллекторный переход в обратном направлении и оставив эмиттерный вывод неподключенным к схеме, то такое включение биполярного фототранзистора ничем не будет отличаться от схемы включения фотодиода. [11]

Все маломощные транзисторы вставлены в отверстия, просверленные в плате. Транзисторы вставлены с обратной стороны платы и опираются на ободок, имеющийся на их корпусе. Если толщина платы превышает 1 - 1 5 мм, то отверстия, предназначенные для входных транзисторов приемного тракта 1Т9, П10, необходимо раззенковать с обратной стороны сверлом большего диаметра с таким расчетом, чтобы донышко транзистора находилось на одной высоте с фольгированной стороной платы. Транзисторы двух последних каскадов передающего тракта снабжены радиаторами, поэтому для них необходимо сделать отверстия по внешнему диаметру транзисторов. Лучше, если отверстая будут иметь шестигранную форму, так как это не даст транзистору вращаться при затягивании радиатора. В выходном каскаде применен транзистор типа КТ907А, у которого эмиттерный вывод соединен с корпусом. Для уменьшения индуктивности эмиттерного вывода между транзистором и радиатором необходимо вставить прокладку из медной фольги. Концы прокладки выводятся наверх и припаиваются к плате. Следует также обратить внимание на минимальную длину выводов конденсатооа 1С5, включенного между базой и эмиттером выходного транзистора. [12]

Страницы: 1