Cтраница 2
Следует отметить, что приведенный вывод формулы Больцмана основан на гипотезе о наличии связи между энтропией и вероятностью, и с этой точки зрения его следует признать, в известной мере, произвольным. [16]
Предположим, что внутри объема, ограниченного контрольной поверхностью, имеются поверхности разрыва непрерывности интегрируемой величины, причем на этих поверхностях величина претерпевает при переходе с одной стороны поверхности на другую конечный скачок. Будем предполагать, кроме того, что эта поверхность разрыва ни целиком, ни частью не совпадает с контрольной поверхностью, а если пересекается с ней, то на участках, где расход жидкости сквозь контрольную поверхность равен нулю. Тогда из приведенного вывода формулы ( 67) непосредственно следует, что она сохраняет свою силу и при наличии поверхностей разрыва. [17]
Предположим, что внутри объема, ограниченного контрольной поверхностью, имеются поверхности разрыва непрерывности интегрируемой величины, причем на этих поверхностях величина претерпевает при переходе с одной стороны поверхности на другую конечный скачок. Будем предполагать, кроме того, что эта поверхность разрыва ни целиком, ни частью не совпадает с контрольной поверхностью, а если пересекается с ней, то на участках, где расход жидкости сквозь контрольную поверхность равен нулю. Тогда из приведенного вывода формулы ( 81) непосредственно следует, что она сохраняет свою силу и при наличии поверхностей разрыва. [18]
V в единице объема на объем слоя лишь в том случае, если расположение молекул подчинено закону случайности, как это имеет место в газообразных и жидких телах. В кристаллических же веществах, где расположение молекул строго упорядочено, число молекул в таком слое может существенно зависеть от положения границ этого слоя по отношению к узловым точкам кристаллической решетки. Поэтому, строго говоря, приведенный вывод формулы (26.3) в случае твердых диэлектриков нуждается в уточнении. [19]
Число молекул в микроскопически тонком слое можно принять равным произведению среднего числа их N в единице объема на объем слоя лишь в том случае, если расположение молекул подчинено закону случайности, как это имеет место в газообразных и жидких телах. В кристаллических же веществах, где расположение молекул строго упорядочено, число молекул в таком слое может существенно зависеть от положения границ этого слоя по отношению к узловым точкам кристаллической решетки. Поэтому, строго говоря, приведенный вывод формулы (26.3) в случае твердых диэлектриков нуждается в уточнении. [20]
Число молекул в микроскопически тонком слое можно принять равным произведению их среднего числа N в единице объема на объем слоя лишь в том случае, если расположение молекул подчинено закону случайности, как это имеет место в газообразных и жидких телах. В кристаллических же веществах, где расположение молекул строго упорядочено, число молекул в таком слое может существенно зависеть от положения границ этого слоя по отношению к узловым точкам кристаллической решетки. Поэтому, строго говоря, приведенный вывод формулы (26.3) в случае твердых диэлектриков нуждается в уточнении. [21]