Cтраница 2
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпи-таксиально-планарных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для использования в коммутаторах тока и других импульсных схемах. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип матрицы приводится на корпусе. [16]
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, диффузионных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 5 кГц в блоках электропитания радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип сборки и схема соединения электродов диодов с выводами приводятся на корпусе. [17]
Диодные сборки, состоящие каждая из четырех кремниевых, планарно-диффузионных диодов, с раздельными выводами. Предназначены для использования в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные, с гибкими выводами и защитным покрытием. Упаковываются в индивидуальную тару. Маркируются цветной точкой на крышке индивидуальной тары: 2ДС408А - 1 - красный; 2ДС408Б - 1 - синей, 2ДС408В - 1 - зеленой, 2ДС408Г - 1 - черной. [18]
Пример программирования команд PS и PSA приведен в табл. 1, где предусмотрена возможность раздельного вывода произведений в две графы. [19]
Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых эпитаксиально-планарных n - p - п транзисторов с раздельными выводами. [20]
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных п-р - п универсальных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [21]
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р - п переключательных сверхвысокочастотных мощных транзисторов с раздельными выводами. [22]
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных р-п - р универсальных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [23]
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых планарных р-п - р усилительных сверхвысокочастотных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [24]
Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых эпитаксиально-планарных n - p - п транзисторов с раздельными выводами. [25]
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных п-р - п универсальных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [26]
Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эпи-таксиально-планарных п-р - п переключательных сверхвысокочастотных мощных транзисторов с раздельными выводами. [27]
Транзисторные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных р-п - р универсальных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [28]
Транзисторные сборки, состоящие из двух кремниевых планарных р-п - р усилительных сверхвысокочастотных маломощных транзисторов с раздельными выводами. [29]
Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых эпитаксиально-планарных n - p - п транзисторов с раздельными выводами. [30]