Вышеприведенный вывод - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Хорошо не просто там, где нас нет, а где нас никогда и не было! Законы Мерфи (еще...)

Вышеприведенный вывод

Cтраница 1


Вышеприведенный вывод сделан без учета активного сопротивления г и утечки g ] 2, поэтому напряжение U оказалось незатухающим синусоидальным, Б действительности переходный процесс будет затухающим, при-ешающую - - роль здесь снова играет ко-ронироватпге прямого и встречного проводов. Величина декремента затухания при перенапряжениях порядка 2Цф, когда потери на корону измеряются десятками киловатт на километр, достигает, как было показано ранее, величины 50 0 60 - 0 75 и весь переходный процесс заканчивается менее чем за 3 - 4 периода.  [1]

Вышеприведенный вывод о роли фаз гидрогеля в образовании цеолитов подтверждается результатами опытов по синтезу цеолитов, проведенных следующим образом. Перемешивание золя производилось вначале энергично, а перед началом коагуляции прекращалось. В результате коагуляции золя образовывался сплошной, весьма плотный гель, который разрезался на кусочки и затем погружался на несколько часов в воду в случае цеолита Айв щелочной раствор в случае цеолита X.  [2]

Подтверждение вышеприведенным выводам, сделанным на основании наших культур, принесли работы Шрейбера в Бельгии, с одной стороны, и работы Петербургской лаборатории министерства земледелия ( находящейся в заведовании профессора Лесного института П. С. Коссовича) - с другой.  [3]

В вышеприведенном выводе можно возразить против приравнивания [ Лгу и т - Верно, что напряжения должны быть одинаковыми в элементах Н и N комплекса М, но для того, чтобы вычислить т, можно было бы принять в расчет в первом случае только деформацию пружины, а во втором - скорость течения в амортизаторе.  [4]

В вышеприведенном выводе были опущены два эффекта. Когда частоты со и cos близки к плазменной частоте сор, диэлектрическое экранирование изменяет данные результаты.  [5]

Даже если вышеприведенный вывод утомителен, он может выполняться одновременно разными лицами и проверяться перекрестно.  [6]

На основании вышеприведенных выводов механизм процесса можно представить следующим образом: взаимодействие карбоната натрия с сернистым ангидридом происходит через жидкую фазу, при этом могут иметь место следующие стадии процесса.  [7]

Многие из вышеприведенных выводов могут быть обобщены для системы п материальных точек.  [8]

Во всех вышеприведенных выводах предполагалось, что атомы внутри одной молекулы так жестко связаны между собой, что никаких дополнительных внутренних движений они не имеют. В действительности же они имеют колебательное движение, представляющее собой внутримолекулярную энергию, которая в кинетической теории газов не учитывается. Влияние внутримолекулярной энергии может быть учтено квантовой теорией теплоемкости.  [9]

Между тем, согласно вышеприведенному выводу, оно-должно иметь силу лишь для неглубокого крекинга.  [10]

Интересным очевидным исключением из вышеприведенных выводов является гидроборирование двойной связи, которое протекает исключительно как г с-присоединение.  [11]

Противоречие этих данных с вышеприведенными выводами Меер-вейна, а также противоречивость данных, полученных на этот счет различными методами и описанных в литературе ( Браун и Энгель [20], Скрауп [21]), не позволяет еще в настоящее время сделать окончательный вывод о сродствоемкости различных алифатических радикалов.  [12]

Выводы их полностью совпадают с вышеприведенными выводами. Авторы отмечают, что осуществленный в пилотных условиях процесс кислотной очистки крекинг-сырья с последующей водной промывкой и с применением электродеэмуль-сации протекает без каких-либо осложнений. Коррозия в стадии кислотной очистки незначительна и вызывает затруднения лишь в стадии водной промывки.  [13]

Это, вероятно, обусловлено тем, что в вышеприведенном выводе не принималась во внимание скорость поверхностной рекомбинации носителей. Рассмотренный выше вид конфигурации электрода можно считать диодом, так как его объемные свойства соответствуют полупроводнику р-типа, а свойства поверхностной области - полупроводнику n - типа.  [14]

Если же, наоборот, это условие выполнено, то на основании вышеприведенного вывода нормальная форма матрицы сводится к некоторой диагональной матрице.  [15]



Страницы:      1    2    3