Cтраница 1
Выводы базы должны подсоединяться первыми, а отключаться последними. Запрещается подавать напряжение на транзистор с отключенной базой. [1]
Однако в реальных схемах выводы базы и эмиттера соединяют не накоротко, а через входное сопротивление ( RBX), которое имеет конечную величину. Это может вызвать нежелательное приоткрывание транзистора. [2]
Если теперь замкнуть накоротко выводы базы и эмиттера, то ток / к0 перераспределится между сопротивлениями гб и гд. [3]
Назначение выводов: 1 3 - выводы базы VT; 4, 5 - выводы эмиттера VT; 5, б, 7 - выводы резисторного делителя; 2, 8, 9, 13 - свободные; 10, 11, 12 - выводы от двух отдельных резисторов; 7, 10-напряжение питания 1 / П2, Um, 14 - коллектор VT; 15 - корпус. [4]
Здесь и в дальнейшем буквы б, э, к означают соответственно выводы базы, эмиттера и коллектора транзистора, а цифры в скобках - номера узлов схемы, с которыми связан каждый вывод транзистора. [5]
Конструкция двухбазового диода.| ВАХ двухбазового диода. [6] |
В качестве материала базовой пластинки применяется кремний, предпочтительно с проводимостью п-типа, реже - германий. Выводы базы б и 6 з устраиваются с противоположных сторон, так что р-п переход располагается между ними. Ток, проходящий через пластинку под действием приложенного к выводам б - 6 г напряжения i / бб, создает внутреннее падение напряжения l / вн на участке, входящем в цепь р-п перехода. При напряжении UaUm переход открывается и, действуя подобно эмиттеру транзистора, инжектирует в пластинку-базу неосновные носители. [7]
Схема с общим эмиттером ( рис. 1, табл. 1) имеет наибольшее распространение в радио - и электронной аппаратуре. Входной сигнал поступает на выводы базы и эмиттера. LK, на которых получается усиленный; сигнал, включены между коллектором и эмиттером. [8]
Схема с общим эмиттером ( рис. 1, табл. 1) имеет наибольшее распространение в радиоэлектронной аппаратуре. Входной сигнал поступает на выводы базы и эмиттера. RK или катушка индуктивности LK, на которых получается усиленный сигнал, включены между коллектором и эмиттером. [9]
Особое местр занимают интегральные микросборки транзисторов - сочетание нескольких одиночных транзисторов, объединенных одним корпусом. Транзисторы имеют общий вывод коллектора, выводы базы и эмиттера раздельные. Такие микросборки применяются в коммутаторах тока, отсюда две буквы КТ в условном обозначении. Другим примером является блок-сборка БС-1, в которой размещены четыре раздельных транзистора - два кремниевых высокочастотных биполярных структуры п-р - п, аналогичных серии КТ315, и два полевых с л-каналом и р-п переходом, аналогичных серии ПЗОЗ. [10]
Все элементы регулятора, кроме диодов VD4 - VD11, размещены на печатной плате размерами 93x60 мм из стеклотекстолита толщиной 1 5 мм. Транзистор VT6 установлен на плате без теплоотвода на двух латунных втулках, выводы базы и эмиттера впаяны непосредственно в плату. Плата рассчитана на установку в корпус электромеханического реле-регулятора РР-24 на трех латунных стойках с резьбой. Выводами служат соответствующие выводы на корпусе. [11]
Пленарные транзисторы выпускаются на большие мощности ( Липа 5 Вт) при сравнительно высоких fa ( десятки МГц), а также на малые мощности ( до 1 Вт) при f порядка 500 МГц. Структура планарного транзистора приведена на рис. 4.21. Здесь 1 - пленка окисла; 2, 3 - выводы базы и эмиттера соответственно. Участки эмиттерной ( n - типа) и базовой ( р-типа) областей, выходящие на поверхность кристалла, металлизированы напылением тонкой пленки из алюминия и других металлов. Токоотводы от эмиттера и базы осуществляются с помощью тонких золотых проволочек, присоединяемых к металлизированным площадкам с помощью термокомпрессии. Границы p - n - перехода, выходящие на поверхность кристалла, защищены пленкой окисла, обладающей хорошими защитными свойствами. Это повышает надежность работы прибора. [12]
В связи с тем, что транзисторное переключение реле в случав отсутствия дополнительных источников питания из-за неисправности автогенератора оказывается неработоспособным, предусмотрена специальная защита силовых транзисторов переключающего реле. Защита осуществляется обычным электромагнитным реле, питаемым от автогенератора. Нормально замкнутые контакты этого реле шунтируют выводы базы и эмиттера нижних силовых транзисторов, При работающем автогенераторе контакты реле разомкнуты. Реле выбираем типа РЭС - 13: ( / 24 в, / н 20 ма. Мощность, потребляемая реле от автогенератора, равна 0 48 вт. [13]
Измерение емкости транзисторов и ИМ по сравнению с диодами представляет более сложную задачу, так как в самом приборе за счет возникновения паразитных емкостей образуются связи, описываемые более сложной эквивалентной электрической схемой. Влияние этих паразитных емкостей на результаты измерений зависит от схемы их подключения к измерительной системе. При измерении емкости р-п перехода, например коллекторного, резонансным или мостовым методом выводы базы и корпуса заземляются - а коллекторный вывод подклю - ается к измерительной установке. [14]
Схематическое устройство транзисторов структуры р-п - р в разрезе. [15] |