Выводы - эмиттер
Cтраница 3
Для измерения обратного тока коллекторного перехода необходимо переключатель П поставить в положение / ко, а ручку переменного резистора, сопряженного с выключателем Вк. Чтобы измерить начальный ток коллектора, выводы эмиттера и базы нужно замкнуть между собой и производить отсчет по той же шкале. [31]
 |
Обобщенная схема включения транзистора по постоянному току. [32] |
Повышенное напряжение на коллекторе транзистора VT1 может быть из-за обрыва одного из его переходов или обрыва резисторов Re, Rs. Проверить работу транзистора VT1 можно: соединив выводы эмиттера и базы транзистора ( или выводы резистора RR), при этом UK должно возрасти; подсоединив параллельно Re резистор близкого номинала, при этом UK должно уменьшиться. [33]
Еще раз покроем всю пластину изолирующим слоем двуокиси кремния и затем вскроем в этом слое два отверстия: одно над эмиттером, а другое, расположенное в самом центре, над базой. Через эти отверстия напылением алюминия или золота создадим выводы эмиттера и базы. Что же касается вывода коллектора, то ею изготовление не вызывает сложности - достаточно укрепить проводящую пластинку на нижней стороне коллектора. [34]
Установив переключатель рода работ в положение 17, производят измерение обратного тока коллекторного перехода транзистора, выключатель - Вк2 должен быть выключен. Для измерения начального тока коллектора выключатель Вк2 должен быть включен, с тем чтобы были замкнуты накоротко выводы эмиттера и базы. [35]
Выводы эмиттера и коллектора пропускали сквозь стеклянные изоляторы, закрепленные в корпусе, вывод базы соединяли непосредственно с корпусом. Транзисторы имели малую максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность коллектора ( Рктах 250 мВт), так как отвод тепла происходит вдоль тонкой полупроводниковой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. [36]
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным ( четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. [37]
Транзисторы старого типа П1А - П1Д служат для усиления на частотах до 100 кгц, П1Е - до 465 кгц, П1Ж - до 1 Мгц и П1И - до 1 6 Мгц. Корпус является выводом базы. Выводы эмиттера и коллектора проходят через стеклянные изоляторы. [39]
Выводы эмиттера и коллектора пропускали сквозь стеклянные изоляторы, закрепленные в корпусе, вывод базы соединяли непосредственно с корпусом. Транзисторы имели малую максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность коллектора ( Plimol250 мВт), так как отвод тепла происходит вдоль тонкой полупроводниковой пластины базы, имеющей малую теплопроводность. [40]
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Корпус транзистора электрически соединен с дополнительным ( четвертым) выводом и может быть использован в качестве экрана. Выводы эмиттера, базы и коллектора электрически изолированы от корпуса транзистора. [41]
Пластинка полупроводника с образованными тем или иным способом р - и-перехрдами заключена в металлический герметический корпус. Два внешних электрода изолируются от корпуса, а третий соединяется с ним. В маломощных транзисторах обычно изолируются выводы эмиттера и коллектора. В транзисторах средней и большой мощности от корпуса изолируются выводы базы и эмиттера. В этом случае коллектор, будучи соединен с корпусом, лучше рассеивает тепло в окружающую среду при работе транзистора. [42]
Пластинка германия припаяна к держателю в виде шайбы, заштампованной в корпусе. Поэтому вывод от корпуса является выводом основания. С обеих сторон в германий вплавлен, индий, к которому припаяны выводы эмиттера и коллектора. Эти выводы проходят через стеклянные изоляторы. [43]
 |
Схематическое устройство транзисторов структуры р-п - р в разрезе. [44] |
Пластинка полупроводника заключена в герметичный металлический корпус. От электродов транзистора и самой пластинки сделаны выводы. У маломощных низкочастотных транзисторов ( рис. 38 - 8, а, в и г) от корпуса обычно изолированы выводы эмиттера и коллектора; у транзисторов средней и большой мощности ( рис. 38 - 9 о-в) изолированы выводы базы и эмиттера. Третий электрод соединен с корпусом. [45]
Страницы: 1 2 3 4