Cтраница 2
Схема вакуум-кристаллизационной купоросной установки непрерывного действия производительностью 3000 т / год. [16] |
В настоящее время по предложению Уральского государственного университета, проверяемому на одном из уральских заводов, для выделения кремния из раствора применяют в качестве коагулятора кремниевой кислоты полиакриламид. В этом случае необходимо нейтрализовать только осадок, полученный в процессе отстаивания скоагулированного раствора. Количество осадка составляет около 30 % от объема раствора. [17]
Алюминиевые сплавы, содержащие более 6 % Si, перед заливкой в разовые формы модифицируют для измельчения выделений кремния и повышения механических свойств. В качестве модификатора используют натрий в виде хлористых и фтористых солей или в чистом виде. [18]
Алюминиевые сплавы, содержащие более 6 % Si, перед заливкой в разовые формы модифицируют для измельчения выделений кремния и улучшения механических свойств. В качестве модификатора используют натрий и его хлористые и фтористые соли. [19]
Зависимость парциальных давлений продуктов испарения SiC и активности Si от температуры.| Зависимость состава паров над карбидом кремния и степени протекания реакций 7 - 9 от температуры. [20] |
При температурах 2900 - 3000 К давление кремния по реакции 8 становится выше давления насыщения, что соответствует выделению кремния в конденсированной фазе. Ранее, однако, было отмечено, что одновременное появление углерода и жидкого кремния ( реакция 5) до 3150 К не может иметь места. [21]
Влияние температуры и длительности выдержки на толщину сили-цидного покрытия, полученного в тлеющем разряде при PnJPsic и - щем давлении 40 мм рт. ст.. [22] |
В и толщин менее 6 мкм наблюдается отклонение от квадратичной параболы, что, видимо, связано с выделением кремния на поверхности насыщаемых образцов. [23]
Из графиков рис. 9.5 легко определить значения предельных составов, для которых при ряде температур подложки не будет происходить ни выделения кремния, ни травления подложки. [24]
Указанный в табл. 32 сравнительно большой расход кремния в безводородном варианте силицирования, видимо, можно объяснить тем, что часть субхлоридов кремния диспропорционирует с выделением кремния в менее нагретых участках установки. В водородном варианте отмечается меньший расход кремния в связи с тем, что образующиеся хлорсиланы препятствуют указанному выделению кремния. [25]
ПсГсле термической обработки, проведенной по одному режиму, влияние неравновесных условий кристаллизации проявляется в еще большей степени: в структуре медленно охлажденных слитков наряду с грубыми выделениями кремния имеются включения избыточной фазы сложного состава, которая не полностью перешла в твердый раствор в процессе нагрева под закалку. [26]
Если pn2 / psic t 1 / з ( кривые / и 2 на рис. 79), то силициды образуются во всем исследованном интервале температур наряду с выделениями порошкового кремния при сравнительно низких температурах. [27]
При силицировании из твердофазной ванны в шихту вводят хлористый аммоний для образования при реакции между Si и NH4C1 некоторого количества SiCl4, который, разлагаясь на поверхности металла с выделением активного кремния, ускоряет процесс диффузии кремния в металл. Образующиеся при этом пары соляной кислоты оказывают протравливающее действие на металл, также способствуя диффузии. [28]
Выделения кремния в основной массе твердого раствора показаны на фиг. [29]
Возможность выделения коллоидного кремния позволяет следующим образом объяснить экспериментальные результаты. Для выделения кремния необходима, по-видимому, структурная перестройка, поэтому поглощение возрастает с ростом времени выдержки при высокой температуре. [30]