Cтраница 1
Выделение скрытой теплоты при постоянном давлении и постоянной температуре характерно для четко разграниченных фаз чистого-вещества; это явление часто используется для того, чтобы обнаружить. [1]
Кривая охлаждения и замерзания. [2] |
Вследствие выделения скрытой теплоты льдообразования, наконец, после достижения температурой некоторой величины ( температуры замерзания) - происходит замораживание всего образца. [3]
Распределение температур перед фронтом кристаллизации чистого металла. [4] |
В момент выделения скрытой теплоты плавления процесс роста кристалла приостанавливается, возможно даже его оплавление. Кристаллизация приобретает прерывистый характер. [5]
Кристаллизация полимеров сопровождается выделением скрытой теплоты. Именно это позволяет использовать метод ДТА для наблюдения за ходом кристаллизации по появлению экзотермического пика ( рис. VTI. Площадь под пиками отвечает теплоте фазовых превращений и по абсолютной величине одинакова для кристаллизации и плавления. Степень переохлаждения, а именно различие между температурой плавления и температурой начала кристаллизации, как правило, пропорциональна скорости охлаждения. Отсутствие экзотермических пиков на кривых ДТА еще не является доказательством того, что кристаллизация в данной температурной области не происходит, поскольку этот процесс может идти чрезвычайно медленно. [6]
Образование кристаллов сопровождается выделением скрытой теплоты, которая должна отводиться для поддержания постоянства температуры. [7]
Экзотермия же цемента и выделение скрытой теплоты замерзания ( так называемая нулевая завеса) несколько компенсируют теплопотери бетона и отдаляют момент его замерзания, поддерживая в то же время реакцию гидратации. [8]
Процесс кристаллизации связан с выделением скрытой теплоты плавления, поэтому скорость роста ( вытягивания) лимитируется режимом отвода тепла от фронта кристаллизации. В случае плоского фронта ( Ь) имеет место только продольный градиент температуры. В случае выпуклого фронта ( а) более холодная наружная поверхность кристалла сжимает кристалл, создавая сильнейшие внутренние напряжения, способствующие образованию дислокаций. [9]
Кристаллизация полимеров обычно сопровождается процессом выделения скрытой теплоты. Именно это позволило использовать метод ДТА для наблюдения за ходом кристаллизации. Теплота, выделяемая полимером в процессе кристаллизации, находит свое выражение на термограмме в экзотермическом пике, направленном вверх. В то время как максимальной температуре плавления полимеров соответствует максимум пика плавления на термограмме, температура кристаллизации определяется по началу резкого изгиба термографической кривой. [10]
Это обстоятельство объясняется поглощением или выделением скрытой теплоты превращения. [11]
Второе граничное условие касается поглощения или выделения скрытой теплоты на этой поверхности. [12]
Второе граничное условие касается поглощения или выделения скрытой теплоты плавления на этой поверхности. [13]
При этом происходит затвердевание ядра с выделением скрытой теплоты плавления материала ядра. Таким образом, теплоаккумулирующая способность насадки складывается из теплоемкостей ядра, покрытия, а также из скрытой теплоты плавления материала ядра. [14]
Петля диэлектрического гистерезиса идеального сегнетоэлект-рика. [15] |