Выключение - диод
Cтраница 3
При описании ключевых моделей вентилей в § 72 были пр иве - дены статические ВАХ, в соответствии с которыми моменты включения и выключения диода совпадают с моментами перехода напряжения и тока через нуль, а момент включения тиристора - с моментом подачи управляющего сигнала при положительном напряжении на аноде. [31]
Время переключения диодных ключей г гер, определяющее их быстродействие, зависит от паразитных емкостей p - n - перехода и емкостей монтажа, а также от времени выключения диода гвыкл, определяемого временем рекомбинации носителей заряда. [32]
Постоянная времени гяСп, которая определяет скорость разряда и заряда емкости перехода Са во время переключения диода, как следует из приведенных выше данных, не превышает десятых долей наносекунд; это и обеспечивает высокую скорость включения и выключения диода. [33]
Выключение диодов на практике чаще всего осуществляется путем смены полярности напряжения источника. Под переходным процессом выключения диода понимают при этом процесс его переключения из неравновесного состояния в прямом направлении в неравновесное состояние в обратном направлении. Режимы переключения диода из прямого в обратное направление могут быть самыми разнообразными. В следующем параграфе будет рассмотрен часто встречающийся случай изменения напряжения источника по синусоидальному закону. [34]
В СВЧ-системах большое значение имеет скорость переключения каналов. Эта скорость определяется временем выключения диода выкл. [35]
Так как коллекторный переход смещен в прямом направлении, то происходит накопление избыточных носителей как в базе, так и в коллекторе ( основное накопление избыточного заряда происходит в области коллектора), потому что интегральные транзисторы имеют высокоомный коллектор и, следовательно, коэффициент инжекции коллекторного перехода значительно меньше единицы. Рассасывание этого заряда при выключении диода и определяет время восстановления обратного сопротивления, зависимого от свойств коллектора. Если толщина коллектора значительно превышает диффузионную длину неосновных носителей в нем, то его называют толстым, а при обратном соотношении между этими величинами - тонким. Для толстого коллектора постоянная времени рассасыв ания равна времени жизни дырок в коллекторе, а для тонкого коллектора - времени пролета дырками коллектора. [36]
Источником ИК-излучения в данном случае является свето-излучающий диод ( СИД) - полупроводниковое устройство, эмитирующее инфракрасные лучи после приложения к нему напряжения. Излучение непосредственно модулируется включением и выключением диода для представления нуля и единицы в двоичном коде, или же диод может переключаться при фиксированной частоте для генерирования волны несущей частоты, которая затем может модулироваться различными методами, например сдвигом фазы или определенными импульсами. Блоки усиления и детектирования восстанавливают первоначальный сигнал по напряжению. Существенной особенностью ИК-каналов передачи данных является их независимость от прямого луча, соединяющего два устройства. Излучение диффузно, оно отражается от стен и потолка и в идеале распространяется по всему помещению, как свет электрической лампочки, подвешенной в центре потолка. Поскольку в этом случае нет необходимости выдерживать линию прямой видимости между передатчиком и приемником, то терминалы и другие устройства могут быть расположены в помещении где угодно и в любом положении относительно друг друга. Сигналы центрального компьютера передаются большим блоком свето-излучающих диодов, расположенных вблизи центра помещения. Каждый сигнал снабжен адресом, определяющим конкретный терминал, и все остальные терминалы его не воспринимают. Сигналы в других направлениях передаются светоизлучающими диодами, которыми снабжены терминалы или приборы, и принимаются центральным блоком. На рис. 7.16 показано типичное расположение передатчиков и приемников в стандартной лабораторной обстановке. [37]
Переход от закрытого состояния к открытому - включение диода в момент ti - соответствует переходу напряжения через нуль от отрицательных значений к положительным. Переход от открытого состояния к закрытому - выключение диода в момент i - - соответствует переходу тока через нуль от положительных значений к отрицательным. [38]
 |
Устройство р - л-переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и планарных ( д. [39] |
Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействующих импульсных схемах с временами переключения 1 мксек и менее. При столь коротких рабочих импульсах приходится учитывать инерционность процессов включения и выключения диодов и принимать конструктивно-технологические меры, направленные на снижение барьерной емкости и сокращение времени жизни неравновесных носителей заряда в области р - - перехода. [40]
Источник напряжения f / кб должен иметь достаточно высокое внутреннее сопротивление для того, чтобы плохой прибор не вывел его из строя. Кремниевый диод и резистор 8 2 ком ( плюс сопротивление измерительного прибора, равное 4 ком) служат для шунтирования измерительного прибора при приблизительно двойной перегрузке. Кнопочный выключатель Выключение диода служит для быстрого измерения и включения диода при критических измерениях. Для отсчета величины тока утечки используется микроамперметр. [41]
Управляемый вентиль отличается от неуправляемого условиями включения. Управляемый вентиль ( тиристор) включается тогда, когда на его аноде положительное напряжение, а на управляющий электрод приходит импульс управления. Выключение тиристора аналогично выключению диода происходит в момент перехода тока через нуль. Однако, как указывалось выше, для полного восстановления управляющих свойств вентиля необходимо в течение некоторого времени не пропускать через него ток. Это время, в течение которого происходит восстановление управляющих свойств структуры, особенно важно учитывать при разработке преобразователей частоты. В управляемых выпрямителях оно в большинстве случаев обеспечивается автоматически. [42]
При резком изменении тока через р-п переход напряжение на нем устанавливается в течение определенного времени. Такой переходный процесс обусловлен инерционностью явлений, протекающих в р-п переходе при переключении. Различают переходные процессы включения, переключения диода из прямого направления в обратное и выключения диода. Инерционность протекающих процессов связана с накоплением и рассасыванием неосновных носителей заряда в базе диода, а также перезарядом барьерной емкости р-п перехода. [43]
Это напряжение подается через разделительный трансформатор на базу транзистора, открывая его. Открытое состояние транзистора свидетельствует о том, что тиристор Т приводит ток. При выключении тиристора происходит запирание транзистора. Так как время выключения диода Д обычно меньше времени выключения тиристора Т, то необходимо обеспечить путь для протекания обратного тока тиристора. С-цепь, которая служит также для демпфирования обратного напряжения на диоде. Поэтому данный тип ДСТ целесообразно применять в преобразователях малой и средней мощности. [44]
Процессы накопления и рассасывания характеризуются соответствующими постоянными времени. Первая из них - постоянная времени накопления т - характеризует рекомбинацию носителей, которые находятся в состоянии динамического равновесия. Вторая величина - - постоянная времени отсечки тока диода - характеризует влияние дисперсии времени пролета неосновных носителей через область базы на продолжительность переходных процессов. При помощи постоянной тн рассчитывают длительность времени рассасывания неосновных носителей, в течение которого обратный ток практически остается постоянным после выключения диода. Длительность среза обратного тока при запирании диода определяется постоянной времени отсечки тот. В справочниках вместо постоянных времени т итот указывается время восстановления обратного тока / восст, т - е - время, прошедшее от момента подачи запирающего импульса до момента, когда обратный ток уменьшается до заданного уровня. Время восстановления / восст складывается из времени рассасывания неосновных носителей и длительности среза обратного тока. [45]
Страницы: 1 2 3 4