Cтраница 2
В процессе испытания изоляции измерительной аппаратуры необходимо закорачивать обмотки тока и напряжения у ваттметров, счетчиков, фазометров и у обмоток реле. Во избежание пробоя селеновых и купроксных выпрямителей их цепи также закорачиваются. [16]
Селеновые и купроксные выпрямители могут работать в агрессивных средах, например в гальванических цехах, они работают бесшумно, колебания нагрузки совершенно не отражаются на их работе, их можно включать как параллельно, так и последовательно. Отечественная промышленность выпускает в настоящее время много типов селеновых и купроксных выпрямителей на токи от тысячных долей ампера до нескольких тысяч ампер. Для зарядки аккумуляторных батарей применяются следующие типы. [17]
Стандарт распространяется на приборы, предназначенные для работы в приемной, усилительной и другой аппаратуре и не распространяется на полупроводниковые диоды с рассеиваемой мощностью более 10 т, селеновые и купроксные выпрямители. Стандарт содержит технические требования, методы испытаний, указания по эксплуатации полупроводниковых приборов, правила маркировки, упаковки, транспортирования и хранения. [18]
В последнее время в гальванических цехах широко используются мед-нозакисные ( купроксные) и селеновые выпрямители. В лабораторной практике применяются также кенотронные и газотронные выпрямители. При нормальной эксплуатации выпрямители могут работать неограниченно длительное время. К существенным преимуществам выпрямителей относится простота ухода, бесшумность, сравнительно небольшие размеры, возможность соединения выпрямителей в группы, рассчитанные на различные напряжения и силы тока. Коэффициент полезного действия селеновых и купроксных выпрямителей почти одинаков. Селеновые выпрямители допускают более высокую температуру нагрева элементов и выдерживают несколько более высокое напряжение в обратном направлении. [19]
Как видно из этого краткого обзора, современные знания в этой области физики пока еще очень ограничены. Совершенно отсутствуют экспериментальные данные по диффузии примесей и самодиффузии для многих полупроводниковых материалов, применяемых в технике. Нет достаточно убедительных данных относительно механизма отдельных диффузионных процессов. Только лишь намечаются некоторые физические закономерности, характеризующие особенности процессов диффузии в полупроводниках: взаимное влияние доноров и акцепторов на скорость диффузии, корреляция между энергией активации при диффузии и расположением локальных электронных уровней примесей в запретной зоне полупроводников и др. Все эти вопросы подлежат еще тщательному экспериментальному и теоретическому исследованию. Однако даже то немногое, что нам в настоящее время известно по диффузии в полупроводниках, позволяет в ряде случаев получить ценные сведения о механизме внедрения и перемещения примесей в полупроводниковых материалах. Это особенно относится к тем полупроводникам, для которых диффузионные исследования сочетались с исследованиями электрических свойств. Тем более с пользой могут быть использованы эти данные для решения прикладных задач. Зная, например, коэффициенты диффузии донорных и акцепторных примесей в германии и кремнии и пользуясь обычными методами решения диффузионных задач ( см., например, [14]), нетрудно оценить глубину залегания электронно-дырочных переходов при заданной технологии изготовления приборов. Аналогичный анализ может быть произведен и в технологии изготовления селеновых и купроксных выпрямителей, фотоэлементов, а также при решении других технологических задач. [20]