Cтраница 4
Иначе обстоит дело в полупроводнике с небольшим числом центров рекомбинации, например в монокристалле с / - л-переходом. В хорошем монокристалле продолжительность жизни носителей тока велика и только незначительная их часть рекомбипирует в узкой переходной области. У границы /; - л-перехода и / 7-области создается повышенная концентрация электронов, а у границы перехода и я-об-ласти - дырок. Аналогично справа от перехода накапливаются дырки и в л-области существует убывающий дырочный ток. Теорию выпрямления на р - я-переходе в кристалле с небольшой концентрацией рекомбинационных центров следует рассмотреть подробнее, так как, во-первых, она непосредственно применима к имеющим большое техническое значение германиевым и кремниевым выпрямителям ( § 59) и, во-вторых, ее результаты используются в теории плоскостных полупроводниковых триодов. [46]
Напротив, при противоположном направлении поля Е ( рис. 136, б) дырки и электроны будут разбегаться друг от друга и вблизи р-л-границы образуется слой, обедненный носителями заряда, представляющий большое сопротивление. На железную никелированную пластину наносится слой селена, обладающего дырочной проводимостью. Селен в свою очередь покрывается сплавом из кадмия, олова и висмута. После прогрева и пропускания через него тока на границе с селеном образуется слой селенистого кадмия, являющегося электронным полупроводником, и возникает р-л-переход. В настоящее время все большее распространение получают германиевые и кремниевые выпрямители. [47]