Cтраница 2
Подставляя в эти выражения значения для критического случая. [16]
Подставляя в это выражение значения Л As Л ЗА. [17]
![]() |
Потенциал притяжения иона К и его связь с радиальными плотностями r2R2 ( г для водородоподобных орбиталей. [18] |
Подставляя в это выражение значения соответствующих постоянных в единицах СИ, получим значение постоянной Рид-берга, совпадающее с приведенным выше экспериментальным значением. [19]
Подставляя в это выражение значения П) И. [20]
Подставляя в это выражение значения 5Эф и icp, учитывающие конструктивные особенности питателя, можно получить статические характеристики. [21]
![]() |
Потенциал притяжения иона К и его связь с радиальными плотностями л2 /. 2 ( г для водородоподобных орбиталей. [22] |
Подставляя ъ это выражение значения соответствующих постоянных в единицах СИ, получим значение постоянной Рид-берга, совпадающее с приведенным выше экспериментальным значением. [23]
Подставляя в это выражение значения ф по уравнениям Сток-са, Аллена или Ньютона ( стр. [24]
![]() |
Статическая характеристики линейной системы. [25] |
Входящие в эти выражения значения 5Лс, 50ш, konr, Типт являются функциями площади Лвх входного зрачка оптики. Поэтому, если по техническим требованиям задана допустимая величина сг1доп, то, решив относительно Лвх уравнение / ( Лвх 0 дОП), можно определить площадь входного зрачка Лвх, которая обеспечит суммарную погрешность не более допустимой. Решение уравнения даже в простейших случаях возможно лишь численными методами на цифровой ЭВМ. [26]
Подставляя в это выражение значения ф по уравнениям Сток-са, Аллена или Ньютона ( стр. [27]
Подставив в это выражение значения е, тис, легко убедиться, что электрон рассеивает ничтожную долю падающего на него излучения. [28]
Подставив в это выражение значения аргументов v и их приращений Д г, получим значение суммарной абсолютной погрешности АЭП. [29]
Но это есть выражение значения компонента и скорости самой жидкости в данной точке, и то же можно доказать и относительно других компонент. [30]