Выращивание - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Выращивание

Cтраница 4


Выращивание чистых слоев дает возможность осуществить контролируемое легирование при синтезе пленок с электрофизическими параметрами, необходимыми для создания полупроводниковых приборов. Процесс синтеза еще не является полностью управляемым, что затрудняет воспроизводимость электрофизических параметров выращиваемых пленок арсенида галлия.  [46]

Выращивание эпитаксиальных слоев арсеннда галлия для изготовления диодов Ганна.  [47]

Выращивание чистых слоев арсенида галлия.  [48]

Выращивание эинтаксиальных слоев - один из видов габитусного профили - рования полупроводников.  [49]

Выращивание и формирование молодых кадров протекает у нас обычно по отдельным отраслям науки и техники, по специальностям.  [50]

Выращивание чая наиболее эффективно и рентабельно на крупных плантациях, хотя ведется и мелкими хозяйствами. В Юго-Восточной Азии чайная плантация является самодостаточной экономической единицей, предоставляющей жилье и средства жизнеобеспечения занятым на ней рабочим и их семьям. В результате образуется своего рода замкнутая община. В Индии и Шри-Ланке значительна доля женского труда, тогда как в Африке ситуация несколько отлична - в основном нанимаются мигрирующие и сезонные рабочие мужского пола, не имеющие при себе семей и соответственно не требующие для них жилья.  [51]

Выращивание структур для СЭ осуществляется в среде очищенного водорода охлаждением насыщенных мышьяком расплавов Ga As Sn ( Te) для получения raGaAs и Ga Al - [ - As Zn ( Be) для pAl Ga As.  [52]

Зоитаксиальное выращивание производят хлоридным методом при Г 1200 С.  [53]

Выращивание зерновых в условиях интенсивного земледелия связано с непременным использованием фунгицидов. При любой степени поражения грибными болезнями затраты на фунгициды окупаются прибавкой урожая.  [54]

Выращивание YsFesO осуществляется при 1120 С и вертикальном градиенте 50 С. Питание растущих кристаллов улучшается перемешиванием раствора специальными лопастями на внутренней поверхности тигля или на реверсивно вращающемся стержне. Для роста кристаллов затравка медленно ( - 5 мк / ч) вытягивается из раствора.  [55]



Страницы:      1    2    3    4