Выращивание - кремний
Cтраница 1
Выращивание кремния из газовой фазы, несмотря на то, что в этом способе сам принцип обеспечивает теплоотвод через материнскую фазу ( газ), как правило, позволяет получать округлые кристаллиты, дендриты и другие формы со ступенчатой шероховатой поверхностью раздела. [1]
Автоэпитаксия и в частности выращивание кремния на кремнии, как уже указывалось, широко применяется при создании транзисторов и других полупроводниковых приборов. [2]
Основным выводом из результатов экспериментов по выращиванию кремния из газовой среды является то, что и здесь рост совершается по тем же законам, что и обычная кристаллизация. [3]
 |
Типичный вид профиля распределения примеси, перешедшей из подложки. [4] |
В данной работе исследовался процесс автолегирования при выращивании АЭС кремния из нелегированной газовой фазы в присутствии источника, сильно легированного бором. [5]
 |
Зависимость стоимости Si от степени очистки, используемая для выделения марки солнечного кремния, применяемого в дальнейшем для выращивания кристалла. [6] |
Кратко будут рассмотрены два наиболее распространенных из них: выращивание кремния методом Чохральского и методом зонной плавки. Упомянуты будут также некоторые необычные методы, предназначенные для выращивания тонких слоев, минуя операции резки слитков на пластины. [7]
Первый из них, по-видимому, впервые примененный для выращивания кремния Цижеком [ Ciszek, 1972; Ciszek, Schwuttke, 1975 ], в течение ряда лет используется для промышленного выращивания труб из сапфира, лент и материалов цилиндрической формы. [8]
Высокая стоимость операций резки слитков на пластины и их полировки стимулировала развитие методов выращивания кремния непосредственно в виде тонких лент, среди которых EFG-способ получения профилированных кристаллов, способ с пленочной подпиткой при краевом ограничении роста, а также выращивание междендритных лент. [9]
Поликристаллический кремний сверхвысокой очистки получают разложением силана соответствующей чистоты. Такой материал является исходным для выращивания высокочистого кремния [6,7] с предельно низким содержанием примесей. [10]
В технологии полупроводникового кремния высокочистый аргон пользуют при выращивании монокристаллов, во время стартового зогрева прутков-подложек перед водородным восстановлением орсиланов. В ряде случаев в среде аргона проводят выращивание оев кремния. Иногда аргон применяют в качестве газа-носителя при оматографическом анализе смесей хлорсиланов и др. В промышленности аргон получают в основном ректификацией здуха. Значительное содержание в воздухе и промежуточное положив аргона по летучести и температуре кипения между кислородом и отом позволяют выводить его из установок для производства азота ICOKOU чистоты и кислорода в виде так называемой грязной аргонной ( акции. [11]
 |
Зависимость скорости роста. [12] |
Это необходимо хотя бы в связи с уже рассматривавшимися нами ( см. разд. Унвала и Букера, которые установили, что при выращивании кремния в определенном интервале скоростей конденсации ( ук 1 - 1 5 мк / мин) можно получить пленки с совершенной структурой. [13]
Пермутационные указатели обладают рядом недостатков. Во-первых, заглавие не всегда в должной мере отражает содержание документа. Во-вторых, в качестве самостоятельных рубрик используются только слова заголовка, а не термины, определенные из существа дела и специально разработанной рубрикации. Поэтому работы близкого содержания могут быть расположены под разными ключевыми словами, являющимися синонимами. Например, заголовки Выращивание кремния по методу Чохральского и Вытягивание кристаллов кремния из расплава имеют одинаковый смысл, но мало совпадающих ключевых слов и поэтому будут разнесены по несовпадающим рубрикам, в частности по рубрикам Выращивание и Вытягивание, хотя в полном контексте смысл этих слов совпадает. Поэтому каждый раз, изучая какую-либо тему, приходится вспоминать все слова-синонимы. Это особенно трудно, если указатель составлен на малознакомом языке. Безусловно, словарь синонимов очень полезен для такой работы. Подобные словари - так называемые тезаурусы - удобны для определения терминов, по которым выбираются ключевые слова для отыскания нужной информации в указателе. [14]
Страницы: 1