Выращивание - кристалл - карбид - кремний
Cтраница 1
Выращивание кристаллов карбида кремния производится также модифицированным методом сублимации: в качестве исходного сырья используют элементарный кремний, а углерод поставляется самой графитовой арматурой печи. Достоинствами этого метода являются возможность получения более чистых кристаллов, а также простота управления пересыщением пара карбида кремния в зоне роста кристаллов. [1]
Метод выращивания кристаллов карбида кремния из раствора заключается в следующем: исходные материалы - растворитель и карбид кремния - загружают в тигель и нагревают до температуры несколько выше кривой ликвидуса на фазовой диаграмме, после чего тигель медленно охлаждают. Известно, что растворитель для выращивания кристаллов из раствора должен растворять достаточное количество компонентов, иметь резкую зависимость растворимости от температуры и процесс растворения должен быть обратимым. Кроме того, коэффициент распределения для растворителя должен быть минимальным. [2]
При выращивании кристаллов карбида кремния одной из основных трудностей является защита рабочего объема печи от посторонних примесей. [3]
 |
Эскиз тигля для выращивания кристаллов SiC из раствора Si - С.| Схема получения кристалла SiC способом плавающей зоны. [4] |
При выращивании кристаллов карбида кремния способом плавающей зоны исчезает самопроизвольная кристаллизация и отпадает надобность в использовании тигля, который является основным источником примесей. [5]
Одним из наиболее перспективных методов выращивания кристаллов карбида кремния полупроводниковой чистоты и совершенных по своей структуре является метод сублимации. Указанный метод, предложенный впервые в работе [8], заключается в разложении поликристаллической массы при температурах порядка 2300 - 2600 С и выкристаллизации в виде пластинок в более низкой области температур. [6]
Одним из наиболее перспективных методов выращивания кристаллов карбида кремния полупроводниковой чистоты и совершенных по своей структуре является метод сублимации. Указанный метод, предложенный впервые в работе [8], заключается в разложении поликристаллической массы при / температурах порядка 2300 - 2600 С и выкристаллизации в виде пластинок в более низкой области температур. [7]
 |
Внешний вид тигля с загрузкой из технического карбида. [8] |
Одним из наиболее важных условий, необходимых для выращивания кристаллов карбида кремния совершенной структуры, является стабильность температуры. [9]
В целях практической проверки возможности использования высокотемпературных внутренних зон печи для выращивания кристаллов карбида кремния в контейнерах специальной конструкции было намечено опробование размещения контейнеров в следующих зонах высокотемпературных зон печи: у керна, сверху керна, в керне печи с погружением контейнера на 400 мм в тело керна, в керне печи с погружением контейнера на 200 мм в тело керна, при погружении контейнера на 1 / 2 диаметра в керн и на 1 / 2 диаметра в шихту, прилегающую к керну. [10]
В целях практической проверки возможности использования высокотемпературных внутренних зон печи для выращивания кристаллов карбида кремния в контейнерах специальной конструкции было намечено опробование размещения контейнеров в следующих зонах высокотемпературных зон печи: у керна, сверху керна, в керне печи с погружением контейнера на 400 мм в тело керна, в керне печи с погружением контейнера на 200 мм в тело керна, при погружении контейнера на 1 / 2 диаметра в керн и на 1 / 2 диаметра в шихту, прилегающую к керну. [11]
Так, в литературе нет сведений о реальной картине теплового поля в тигле, в котором осуществляется выращивание кристаллов карбида кремния. [12]
Страницы: 1