Выращивание - кристалл - гранат - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Учти, знания половым путем не передаются. Законы Мерфи (еще...)

Выращивание - кристалл - гранат

Cтраница 1


Выращивание кристаллов граната показало, что с увеличением концентраций в расплаве редкоземельных элементов с малым ионным радиусом ( например, иттербий, лютеций) изоморфизм в системе иттрий-редкоземельный элемент существенно ухудшается. Так, при замене в формуле ИАГ половины и более атомов иттрия на иттербий происходит расслаивание расплава. Так, в кристалле состава YiYb2Al5Oi2 отчетливо наблюдались три слоя.  [1]

Выращивание кристаллов граната показало, что с увеличением концентраций в расплаве редкоземельных элементов с малым ионным радиусом ( например, иттербий, лютеций) изоморфизм в системе иттрий-редкоземельный элемент существенно ухудшается. Так, при замене в формуле ИАГ половины и более атомов иттрия на иттербий происходит расслаивание расплава. Так, в кристалле состава YiYb2Al5O ] 2 отчетливо наблюдались три слоя.  [2]

Первые патенты на выращивание кристаллов гранатов [9] были выданы в начале 60 - х годов Джиму Нилсену и Джо Ремейке из лаборатории Белл.  [3]

Для компенсации потерь АЬО3 при выращивании кристаллов граната в состав исходной шихты добавляется сверхстехиометри-ческий избыток оксида алюминия, количество которого устанавливается эмпирическим путем и корректируется после каждого цикла выращивания.  [4]

В связи с высокой упругостью паров Сг2О3 и V2O3 ( 0 1 - 0 001 Па) выращивание кристаллов граната, активированного указанными оксидами, обычно ведется под давлением. Камера наполняется указанной газовой смесью следующим образом. При подъеме температуры давление газа в камере возрастает. При повышении давления до 140 кПа избыток газа удаляется через игольчатый натекатель.  [5]

После получения первых кристалликов иттриевого граната необходимо было решить две проблемы: 1) приближенно определить ту часть фазовой диаграммы системы Fe2O3 - Y2O3 - РЬО, в которой иттриевый гранат является устойчивой твердой фазой, и 2) найти наилучшие условия для выращивания кристаллов граната. В результате частичного разрешения этих проблем были выращены монокристаллы Y3Fe5Oi2, GdsFesOia, SmsFesO, Er3FesOi2 и иттриевый гранат с частичным замещением ионов железа галлием.  [6]

За эталон был принят стандартный лазерный элемент ИАГ: Nd. В этом кристалле не зарегистрировано стимулированного излучения на двух длинах волн. Из этого следует, что тигли из молибденсодержащего сплава могут быть использованы для выращивания кристаллов граната, пригодных для использования в лазерной технике.  [7]

За эталон был принят стандартный лазерный элемент ИАГ: Nd. В этом кристалле не зарегистрировано стимулированного излучения на двух длинах волн. Из этого следует, что тигли из молибденсодержащего сплава могут быть использованы для выращивания кристаллов граната, пригодных для использования в лазерной технике.  [8]



Страницы:      1