Выращивание - полупроводниковый кристалл
Cтраница 1
Выращивание простых полупроводниковых кристаллов вертикальным методом Бриджмена - Стокбаргера практикуется редко главным образом потому, что такие вещества, как кремний и германий, при затвердевании расширяются на несколько процентов по объему. Цилиндрический тигель, используемый в вертикальном варианте метода Бриджмена - Стокбаргера, не позволяет растущему кристаллу расширяться, что обычно приводит к возникновению больших напряжений. [1]
Все больше используются гидротермальные методы выращивания полупроводниковых кристаллов, которые часто применяются при получении люминофоров. Метод основан на том, что некоторые вещества с ничтожной растворимостью в воде при комнатной температуре заметно растворяются в ней при достижении критической температуры. Вдоль стальной бомбы, рассчитанной на критическое давление воды, создают небольшой температурный градиент. В более холодной части реакционного пространства на затравке вырастает монокристалл. Бомбу с раствором и затравкой нагревают выше критической температуры воды при сохранении температурного перепада. Преимущество этого метода - низкая температура выращивания монокристаллов, благодаря чему можно получить вещества, очень близкие к стехиометри-ческому составу. [2]
Из работ, выполненных на ПКК Мир, следует отметить эксперименты на установках Галлар и Кратер-В по выращиванию полупроводниковых кристаллов ( в том числе методом химического газового транспорта), позволившие, например, получить монокристаллы арсенида галлия и оксида цинка с параметрами ( удельное сопротивление, подвижность носителей заряда, плотность дислокаций, термическая устойчивость), намного лучшими, чем у земных аналогов. [3]
Отмеченные явления связаны, на наш взгляд, как с большим опытом, накопленным в области, охватываемой программой Симпозиума, так и возросшей потребностью в разработке методов контролируемого выращивания полупроводниковых кристаллов и пленок с заданными свойствами, являющихся основой современного приборостроения. [4]
 |
Примерный состав товарных индивидуальных углеводородов. [5] |
Гелий применяется для наполнения дирижаблей, при сварке магниевых деталей самолетов, в водолазном деле, медицине, для калибровки приборов, в космонавтике для консервации пищевых продуктов, атомной энергетике ( как теплопередающая среда), хладотехнике, хроматографии, при выращивании полупроводниковых кристаллов кремния и германия, для наполнения радиоламп и во многих других отраслях. [6]
Источниками ЭМП этого вида являются приборы, применяемые в промышленности для индукционного нагрева металлов и полупроводников ( в таких технологических процессах, как закалка и отпуск деталей, накатка твердых сплавов на режущий инструмент, плавка металлов и полупроводников, очистка полупроводников, выращивание полупроводниковых кристаллов и пленок), а также приборы диэлектрического нагрева, применяемые для сварки синтетических материалов, прессовки синтетических порошков. Свойства электромагнитных волн распространяться в пространстве и отражаться от границы раздела сред широко используют в таких областях, как радиосвязь, телевидение, радиолокация, дефектоскопия и других, поэтому телевизионные и радиолокационные станции, антенны радиосвязи являются также лющными источниками ЭМП диапазона радиочастот. Различают технологические и паразитные источники ЭМП. К последним относятся выносные согласующие трансформаторы, выносные батареи конденсаторов, фидерные линии, щели в обшивке установок. [7]
 |
Принципиальная схема масс-спектрометра Маттауха - Герцога с искровым ионным источником и двойной фокусировкой. [8] |
Масс-спектрометрическая аппаратура успешно используется в структурном анализе высокомолекулярных органических соединений для измерения энергии связи между атомами: в контроле сложных технологических процессов в современных производствах, при исследовании обмена веществ в биологии и др. Методами масс-спектрометрии решаются вопросы контроля дегазации вакуумных объемов, анализа газовых составляющих при вакуумной плавке, а также выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок, исследования быстропротекающих и взрывных процессов. [9]
 |
Схема полусдвигающего регистра. [10] |
И триггер и сдвоенная переключающая схема И - ИЛИ. Одним из новых прогрессивных технологических методов полупроводниковой техники является эпитаксиальное выращивание кристаллов. Эпи-таксиальный процесс состоит из выращивания полупроводникового кристалла из паровой фазы путем осаждения на полупроводниковую подложку. [11]
Обычно полагают, что находящиеся на борту искусственного спутника Земли предметы пребывают в состоянии полной невесомости, но это не так. Жестко закрепленные на корпусе спутника научные приборы испытывают остаточные микроускорения, которые в ряде случаев существенно влияют на изучаемые с помощью этих приборов процессы. В связи с этим выделяют класс так называемых гравитационно-чувствительных процессов и систем, на которые микроускорения влияют достаточно сильно. Примерами таких процессов могут служить выращивание полупроводникового кристалла из расплава и некоторые другие процессы космического материаловедения. Изучение гравитационно-чувствительных систем и процессов составляет предмет микрогравитационной науки ( microgravity science), которая выработала свои специфические методы исследования, обеспечивает примерно четвертую часть полезной нагрузки космических аппаратов и по которой регулярно проводятся научные конференции, публикуется большое число статей. [12]
Страницы: 1