Вырождение

Cтраница 3

Вырождение частично или полностью снимается. [31]

Вырождение может встретиться при нахождении как опорного, так и оптимального плана. Способы преодоления затруднений при этом одинаковы. [32]

Вырождение снимается, по крайней мере частично, при любом воздействии, по-разному влияющем на вырожденные состояния. Подобное явление используют, в частности, для эксперим. Расщепление уровней нередко происходит и во внеш. [33]

Вырождение снимается под действием магн. [34]

Вырождение исчезает ( снимается), если сечение трубки станет не квадратным, а прямоугольным. [35]

Вырождение наступает, когда длина волны де Бройля, соответствующая энергии теплового движения частиц, становится сравнимой со ср. [36]

Функции распределения Ферми - Дирака / (. и fp (. при различных температурах ( T2Tt. [37]

Вырождение полупроводника может наступить в следующих случаях: при высокой температуре ( значение kT велико), при обычных рабочих температурах - у полупроводников с малой шириной запрещенной зоны & е, при высокой степени легирования. Степень или уровень легирования определяется количеством примесных атомов в единице объема полупроводника. [38]

Функция распределения Максвелла-Больцмана при температурах Т, и Т3 ( Т2Т.| Функции распределения Ферми-Дирака fn ( W и fp ( W при различных температурах ( Т2Т. [39]

Вырождение полупроводника может наступить либо при высокой температуре ( значение kT велико), либо при обычных рабочих температурах у полупроводников с малой шириной запрещенной зоны Wg, при высокой степени легирования. Степень, или уровень легирования определяется количеством примесных атомов в единице объема полупроводника. [40]

Перестановочное вырождение для электронов существует независимо от взаимных расстояний атомов системы, но проявиться, например, в виде расщепления уровней, оно может согласно теории возмущений лишь при определенных условиях. Смысл этих условий в конкретном случае кристалла состоит в том, что находящиеся в его объеме электроны становятся коллективизированными. [41]

Вырождение полупроводника определяется концентрацией донорных или акцепторных примесей, введенных в полупроводник, а также его температуройГОдин и тот же полупроводник при низкой температуре может быть невырожденным, а при более высокой - вырожденным. [42]

Вырождение народничества в самую дюжинную теорию мелкобуржуазного радикализма, - о котором ( вырождении) с такой наглядностью свидетельствуют друзья народа, - показывает нам, какую громадную ошибку делают те, кто несет рабочим идею борьбы с абсолютизмом, не выясняя им в то же время антагонистического характера наших общественных отношений, в силу которого за политическую свободу стоят и идеологи буржуазии, - не выясняя им исторической роли русского рабочего, как борца за освобождении всего трудящегося населения. [43]

Вырождение полупроводников проявляется при достаточно низких температурах и высоких концентрациях примеси. [44]

Влияние толщины отливки. [45]

Страницы: 1 2 3 4