Вырождение - электрон
Cтраница 2
На рис. 15 представлено сравнение экспериментальных данных [92, 94, 95] и расчетов по моделям [74, 72] с расчетами по предлагаемой модели, учитывающей взаимодействие заряженных частиц, эффекты вырождения электронов, электронное возбуждение и короткодействующее отталкивание ионов. [17]
Для предельно вырожденных и ультрарелятивистских электронов ограничивающий множитель / переходит в ехр ( - e / kT) при Ev / и в единицу при Ev це, что отражает важную роль вырождения электронов в сдерживании поглощения нейтрино при низких энергиях. [18]
Рассчитанный скачок плотности в тройной точке все еще чрезвычайно мал ( 0 02, см. табл. 3) но заметно больше значения ( Дп / п) тр - 0 0003, полученного в работе [98] для случая сильной степени вырождения электронов фона. [19]
ОА - е ОА - энергия ионизации, т - масса электрона ( слагаемые, содержащие / ПА и / пд уничтожаются, так как тА / ПА) и множители 2, g и gA в последнем слагаемом - кратности вырождения электрона и основных электронных уровней иона и атома. [20]
Если считать, что вследствие малой эффективной массы электронов существенно только квантование в верхней зоне, то на параболический рост сопротивления накладываются осцилляции, что находится в хорошем согласии с опытом. Температура вырождения электронов получается около 70 К и число свободных электронов порядка 10 - 5 на атом. Этим объясняется наблюдаемое увеличение постоянной Холла при низких температурах. [21]
Измерения в этом материале проводились в контролируемых условиях; выяснилось, что при температурах около 20 000 К ближний порядок в расположении протонов, по-видимому, не играет определяющей роли. Можно пренебречь также фермиевским вырождением электронов; таким образом, рассеяние электронов экранированными протонами в водородной плазме может происходить так же, как и на заряженных примесях в полупроводниках. [22]
Таким образом, при абсолютном нуле должны быть заполнены все уровни, находящиеся ниже некоторого критического. Это обстоятельство и принцип Паули объясняют явление вырождения электронов ( см. гл. [23]
Таким образом, современная экспериментальная техника позволяет путем регистрации мощных ударных волн и волн разрежения в металлических образцах единым методом проводить исследования разнообразных состояний вещества-от сильносжатой металлической плазмы, где ионы разупорядочены, а электроны вырождены, до квазинеидеальной больцмановской плазмы и разреженного металлического пара. По мере расширения в системе происходят многообразные малоизученные физические процессы-снимается вырождение электронов, коренным образом перестраивается электронный энергетический спектр, осуществляется частичная рекомбинация плотной плазмы, реализуется переход металл-диэлектрик в электронной неупорядоченной структуре и возникает неидеальная по отношению к различным видам межчастичного взаимодействия плазма. [24]
Таким образом, современная экспериментальная техника позволяет путем регистрации мощных ударных волн и волн разрежения в металлических образцах единым методом проводить исследования разнообразных состояний вещества-от сильносжатой металлической плазмы, где ионы разупорядочены, а электроны вырождены, до квазинеидеальной больцмановской плазмы и разреженного металлического пара. По мере расширения в системе происходят многообразные малоизученные физические процессы - снимается вырождение электронов, коренным образом перестраивается электронный энергетический спектр, осуществляется частичная рекомбинация плотной плазмы, реализуется переход металл-диэлектрик в электронной неупорядоченной структуре и возникает неидеальная по отношению к различным видам межчастичного взаимодействия плазма. [25]
Короткодействующие силы между электронами, ионами и-атомами, очевидно, стабилизируют плазму и приводят к резкому понижению критической температуры. Изложенный здесь метод псевдопотенциала представляется более точным, чем предложенный раньше [187, 705], поскольку он учитывает ( по крайней мере, частично) влияние вырождения электронов и упаковки ионов при высоких плотностях. [26]
Анализ и сопоставление влияния на вид рассчитанных ударных адиабат различных значений Гс ( при Гс rc const) и других плазменных эффектов показывает [85], что как и в условиях [85], в случае плазмы алюминия ультравысоких параметров наиболее существенным оказывается вклад короткодействующего отталкивания. Вариации г с в пределах 10 - 20 % радикальным образом влияют на вид ударной адиабаты [85], в то время как эффекты, связанные с электронным возбуждением и вырождением электронов, как и в [80], вносят существенно меньший вклад в суммарные термодинамические величины. [28]
Как будет видно из дальнейшего, формула (5.39) справедлива, строго говоря, лишь тогда, когда т не зависит от скорости или энергии. В более общем случае необходимо еще включить сюда численный множитель г, который обычно изменяется в пределах от 1 до 2 в зависимости от преобладающего механизма рассеяния, а также от степени вырождения электронов в зоне проводимости. [29]
Далеко не все выводы теории проверены экспериментально на обширном материале. Так, например, имеется очень мало данных для суждения об эффективных массах электронов и дырок, о длине их свободного пробега, об участии дырок и электронов в смешанной проводимости, о свойствах полупроводников при низких температурах, о пределе вырождения электронов, о поляронном механизме тока, о длительности свободного существования носителей тока, о механизме рекомбинации и о многих других характеристиках полупроводников. [30]
Страницы: 1 2 3 4