Частичное вырождение

Cтраница 1

Частичное вырождение тем не менее может остаться. Vmn коммутирует с операторами исходного d - мерного представления группы симметрии F. Формально задача становится эквивалентной задаче о линейных колебаниях молекулы с d степенями свободы, рассмотренной в предыдущей главе. [1]

Более строгий анализ показывает, что и в полупроводниках иногда наблюдается состояние частичного вырождения. [2]

Носители тока в переходных формах углерода находятся в вырожденном состоянии или в состоянии частичного вырождения. [3]

Эта специальная подготовка отнюдь не обязательно приближает нас к человеческому совершенству, она не обходится без частичного вырождения, и это даже в том случае, когда она оказывается в гармоническом соответствии с естественными предрасположениями индивида. Ведь мы не можем с необходимым напряжением развивать специальные способности, которых требует наша функция, не оставляя в бездействии и не притупляя другие способности, следовательно, не принося в жертву значительную часть нашей натуры. Например, человек как индивид в не меньшей степени создан для того, чтобы действовать, чем для того, чтобы мыслить. Поскольку он прежде всего живое существо, а жизнь - это действие, способности к действию для него, вероятно, даже более существенны, чем другие. И тем не менее, начиная с того момента, как интеллектуальная жизнь обществ достигла известного уровня развития, существуют и обязательно должны существовать люди, которые посвящают себя только ей, которые только мыслят. Но мышление может развиваться, только отрываясь от действия, сосредоточиваясь в самом себе, отвращая предающегося ему субъекта от действия. Так формируются неполные натуры, у которых вся энергия деятельности, так сказать, обратилась в рефлексию и которые, однако, какими бы неполноценными они ни были в некоторых отношениях, образуют необходимый фактор научного прогресса. Никогда абстрактный анализ человеческой природы не позволил бы предвидеть ни того, что человек способен так исказить то, что считается его сущностью, ни того, что необходимо воспитание, специально подготавливающее эти полезные искажения. [4]

Модель матрицы полиэлектролита. [5]

Дело в том, что основные закономерности ионного обмена не изменяются с ростом дисперсности адсорбента и сохраняются не только при частичном вырождении понятия поверхности раздела ( активированные угли, цеолиты), но и при переходе к студням ВМС ( типично гомогенным системам), где представления о поверхности раздела и ДЭС теряют физический смысл. Здесь нам следует познакомиться с ионообменными смолами, широко используемыми в практике. [6]

Анализ пульсационных характеристик при переходе через состояние насыщения в присутствии ОДА показывает, что наибольшее влияние ОДА проявляется при небольших перегревах, когда в пограничном слое генерируется повышенная турбулентность. Добавки ОДА приводят к ее частичному вырождению. Однако переход через состояние насыщения в область й а1 сопровождается в присутствии ОДА еще более резким снижением амплитуд пульсаций, так как воздействие ОДА и мелких капель на интенсивность турбулентности является однонаправленным. [7]

Энергетич. диаграмма вырожденного ПП n - типа. Ev - край валентной зоны. Ес - край зоны проводимости. [8]

Планка, т - масса эффективная носителей заряда. Однако в ПП обычно имеет место частичное вырождение. Для точного онределе - o 5Nc ния величины ( х необходимо знать за - 0 2Nc - висимость т от концентрации носителей. Кроме того, при больших концентрациях примесей в кристалле может иметь место образование примесных зон, которые могут перекрываться с основными. Тогда положение уровня Ферми определяют с учетом размытия основных зон. Достаточно полно этот вопрос не изучен. Наиболее употребительным способом получения условия вырождения [5] является увеличение числа свободных носителей путем создания в кристалле больших концентраций примесей, близких к пределу растворимости. [9]

Планка, т - масса эффективная носителей заряда. Однако в ПП обычно имеет место частичное вырождение. Для с точного определе - o 5Nc ния величины л необходимо знать за - 0.2 Nt висимость т от 0 1 Н, концентрации носителей. Кроме того, при больших концентрациях примесей в кристалле может иметь место образование примесных зон, которые могут перекрываться с основными. Тогда положение уровня Ферми определяют с учетом размытия основных зон. Достаточно полно этот вопрос не изучен. Наиболее употребительным способом получения условия вырождения [5] является увеличение числа свободных носителей путем создания в кристалле больших концентраций примесей, близких к пределу растворимости. [10]

Подобные отклонения в ряде случаев могут быть следствием и других причин, вызывающих падение энергии активации с ростом температуры. К ним относится, например, частичное вырождение ионных связей в гомеополярные, наблюдаемое при высоких температурах у галогенидов, а также разрушение крупных комплексных анионов на более простые. [11]

Используется максимально сложная исходная схема установки, а промежуточные варианты схемы в процессе ее оптимизации образуются как ее части. Достижение некоторыми непрерывно изменяющимися параметрами своих граничных ( нулевых) значений означает частичное вырождение максимально сложной схемы в промежуточную, а затем и в оптимальную схему установки. Благодаря эквивалентированию изменений дискретных параметров максимально сложной схемы изменениями непрерывно изменяющихся параметров для оптимизации вида схемы может быть использован один из эффективных алгоритмов нелинейного программирования. При такой постановке задачи возможна одновременная оптимизация ( без подразделения на этапы) непрерывно изменяющихся параметров и группы дискретно изменяющихся параметров. [12]

Необходимо отметить, что указанное распределение процессов деформирования по зонам сильно зависит от соотношения скоростей процесса вытягивания и происходящих при этом структурных перестроек. Проведение процесса в течение короткого времени приводит к вырождению зоны III и волокно оказывается почти не отрелаксированным. При еще меньшем времени может произойти частичное вырождение зоны II, что не обусловливает возможность полного проведения процесса ориентационного вытягивания. [13]

Здесь использована возможность представления структуры схемы и компоновочных взаимосвязей между ее элементами характерными граничными значениями непрерывно изменяющихся параметров. Используется максимально сложная исходная схема установки, а промежуточные варианты схемы в процессе ее оптимизации образуются как ее части. Достижение некоторыми непрерывно изменяющимися параметрами своих граничных ( нулевых) значений означает частичное вырождение максимально сложной схемы в промежуточную, а затем и в оптимальную схему установки. Благодаря эквивалентированию изменений дискретных параметров максимально сложной схемы изменениями непрерывно изменяющихся параметров для оптимизации вида схемы может быть использован один из эффективных алгоритмов нелинейного программирования. При такой постановке задачи возможна одновременная оптимизация ( без подразделения на этапы) непрерывно изменяющихся параметров и группы дискретно изменяющихся параметров. [14]

Действительно, мы установили в предыдущем разделе, что при абсолютном нуле температуры уровень химического потенциала проходит посредине между дном зоны проводимости и примесными уровнями, а затем начинает подниматься. При этом если энергия активации примесных уровней мала, а число их велико, то уровень химического потенциала может приблизиться к дну зоны и даже пересечь его, так что неравенство / 1 нарушится и все выводы предыдущего раздела, основанные на нем, будут по крайней мере неточны. Мы не будем здесь количественно рассматривать этот вопрос, так как учет частичного вырождения приводит к большим вычислительным трудностям, а рассмотрим лишь качественную картину явления. [15]

Страницы: 1 2