Cтраница 2
Центр О вписанного шара лежит на высоте правильной пирамиды. [16]
Доказать, что плоскость, проходящая через высоту правильной пирамиды и высоту боковой грани, перпендикулярна к плоскости боковой грани. [17]
Эта молекула имеет ось С3, которая проходит вдоль высоты правильной пирамиды. Через ось С3 и каждую связь NH проходит по одной плоскости симметрии оа. [18]
Обозначения: Р и Q - периметр и площадь оснований многогранников; ряд - периметр и площадь верхнего основания усечен ной пирамиды; р и q - периметр и площадь перпендикулярных сечений наклонной призмы; a, at и H, h - апофемы и высоты правильной пирамиды и правильной усеченной пирамиды; I - длина ребра наклонной призмы; а, Ь я с - измерения прямоугольного параллелепипеда. [19]
Напомним, что центр О вписанного шара лежит на высоте правильной пирамиды, а именно в точке пересечения высоты с биссектрисой ОК угла между высотой МК боковой грани и проекцией НК этой высоты на плоскость основания ( рис. 213), ОН г - радиус вписанного шара. [20]