Выход - годное изделие
Cтраница 2
 |
Изопланарный транзистор с эпитакси-альной базой. [16] |
Дополнительным достоинством изопланарной технологии изготовления элементов ИС является существенное увеличение процента выхода годных изделий. [17]
Качество проведения каждой операции в процессе фотолитографии в основном определяет процент выхода годных изделий. Требования к качеству возрастают при переходе от дискретных приборов и схем со средним уровнем интеграции к большим интегральным схемам. [18]
Экономия средств, затрачиваемых на герметизацию интегральных схем, и увеличение выхода годных изделий не исчерпывают преимуществ функциональной динамической проверки. Такая проверка обеспечивает более быструю и точную оценку технологических режимов. Появляется возможность корректировать технологический процесс сразу же после получения данных проверки, что особенно важно при разработке новых изделий, выпуске опытных партий и анализе сравнительных характеристик различных интегральных схем. [19]
Описанная организационная структура позволяет легче стыковать комплексы по производительности с учетом выхода годных изделий. [20]
Одним из основных требований к типовому технологическому процессу в производстве ИМС является выход годных изделий, значение которого определяется прежде всего высокой точностью проведения данного процесса с экономически приемлемыми показателями. Выполнение этого требования затрудняется большой сложностью технологии ИМС. [21]
 |
Последовательность основных технологических операций изготовления КМДП-ИМС. [22] |
Отличительными особенностями МДП-ИМС являются простота конструкции, технологичность изготовления, высокий процент выхода годных изделий и низкая стоимость. [23]
По материалам, к которым предъявляется требование стабильности их свойств для обеспечения норм выхода годных изделий, устанавливается повышенная длительность интервалов: 90, 120, 180 дней. Если сроки хранения материалов ограничены, то длительность интервалов не превышает этих сроков. [24]
АСУТП производства микроэлектронной аппаратуры позволяет повысить качество и надежность изделий, увеличить процент выхода годных изделий и сократить потери от брака, повысить производительность изготовления, провести контроль изделий, обеспечить своевременное обнаружение аварийных ситуаций в ходе производства и оперативно принять меры для их устранения, обеспечить постоянный анализ связей между различными параметрами технологического процесса и характеристиками изделия. [25]
Из основных особенностей расчета производственных мощностей предприятий электронной промышленности следует отметить необходимость учета уровня выхода годных изделий ( процента выхода годных), который, являясь одним из основных показателей уровня технологии, предопределяет частое изменение физической производительности оборудования. [26]
 |
Ячейка памяти ЗУ на ИС с инжекционнын питанием. [27] |
Отличительными особенностями ИС на МДП транзисторах являются простота конструкции, технологичность изготовления, высокий процент выхода годных изделий и низкая стоимость. [28]
Дополнительное снижение реальной производительности сборочного оборудования, вызванное возможным образованием брака, определяется коэффициентом р выхода годных изделий. Сборочные элементы, имеющие брак, должны быть исключены из дальнейшего процесса сборки. В сборочном автоматическом оборудовании с жесткой связью контрольно-разбраковочный пост устанавливается после завершения узлового момента сборки. [29]
Уже говорилось о том, что для перехода на полупроводниковые кристаллы с большей площадью при приемлемом выходе годных изделий необходимо наладить производство полупроводниковых дисков с меньшей плотностью дефектов и нарушений структуры. Решить эту задачу пытаются за счет совершенствования отдельных операций изготовления полупроводниковых дисков и кристаллов без какого-либо перехода на принципиально новую технологию. Что касается получения кремниевых кристаллов-стержней, то здесь доминирующее положение по-прежнему занимает метод Чохральского. Его недостатки связаны с тем, что в кремниевом расплаве, из которого вытягивается кристалл, возникают паразитные потоки, обусловленные термическими и гидродинамическими эффектами, а это ведет к нарушению структуры материала. Хотя устранить влияние этих закономерных эффектов совсем не просто, можно создать условия, когда воздействие магнитного поля на расплав позволяет регулировать характер их проявления. В результате существенно уменьшается интенсивность потоков, что дает возможность выращивать идеальные кристаллы. В ходе предварительной подготовки полупроводниковых дисков к дальнейшей обработке в цикле 1 в перспективе более широкое применение найдут процессы генерирования, с помощью которых нежелательные дефекты активного тонкого слоя лицевой поверхности диска вытесняются в глубь материала или на противоположную поверхность. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5