Выход - излучение
Cтраница 4
В цитированных работах японских исследователей отмечается возможность дальнейшего усовершенствования технологии изготовления диодов с увеличением квантового выхода до уровня, близкого к величине выхода излучения для диодов из теллурида кадмия, несмотря на то, что явление самокомпенсации остается не-устраненным и в этом материале. [46]
 |
Зависимость оптимального и предельно допустимого ( штриховые линии углов обзора ППИ от углового размера знака. [47] |
Сравнение представленных зависимостей с аналогичными зависимостями ППИ со светодиодом, расположенным в светорассеивающей пластмассе, позволяет сделать следующие выводы: ППИ с торцевым выходом излучения могут работать при значительно большем уровне внешней засветки; две рассмотренные конструкции имеют примерно одинаковые углы обзора. [48]
При его ускорении резко падает плотность вещества в нем, он становится при этом оптически тонким и с большей эффективностью теряет энергию при выходе излучения. Температура вещества в нем так же падает. В результате, слой газоплазменного облака значительной толщины оказывается за порогом чувствительности регистрирующей аппаратуры, а более плотный и горячий слой меньшей толщины фиксируется на пленке. Эффект повторяется при использовании камеры АГАТ. [49]
Коэффициент потерь в этом случае отличается от коэффициента потерь, использовавшегося в уравнениях для расчета усилительных каскадов: в него включены цотери, связанные с выходом излучения из резонатора ( так называемые полезные потери), и потери, определяемые коэффициентами отражения зеркал или добротностью резонатора. [50]
Исследования плотной высокотемпературной плазмы, получаемой в лазерных, пучковых или разрядных ( z - пинч) установках [210, 123], требуют учета ее неравновесности, связанной с выходом излучения. Использование в программах радиационной газовой динамики коэффициентов непрозрачности, полученных на основе равновесных или квазиравновесных моделей вещества ( например, в приближении полного выхода излучения) не всегда правомерно, так как поле излучения формируется в процессе динамики плазмы, существенным образом влияя на микросостояния ионов плазмы и, тем самым, на ее термодинамические и радиационные свойства. В свою очередь, микросостояния ионов определяют излучательную способность плазмы и ее спектральные коэффициенты поглощения. Учет неравновесности поля излучения существенным образом влияет на состав плазмы, степень ее ионизации, коэффициенты поглощения фотонов и излучательную способность при тех же термодинамических параметрах вещества, т.е. при той же внутренней энергии и давлении. [51]
При объяснении зависимости среднего радиационного поля от формы кучевых облаков нужно также принимать во внимание то, что при вариациях формы изменяются условия освещения облаков падающей солнечной радиацией и выхода излучения за пределы облачного слоя. Эти изменения трудно оценить качественно, без каких-либо предварительных вычислений. [53]
 |
Изменение коэффициента прямой отдачи в зависимости от критерия Бугера. [54] |
Наличие максимума у сплошных линий физически объясняется авторами цитируемых работ тем, что по мере увеличения оптической плотности среды экранирование близлежащих к стенке холодных слоев газов начинает оказывать все более существенное влияние на выход излучения из всего объема. [55]
 |
Типовые полупроводниковые структуры полупроводниковых излучателей.| Варианты размещения активной области полупроводникового излучателя. [56] |
Основные конструкции структур полупроводниковых излучателей представлены на рис. 5.29. Эпитаксиальная структура на основе laAs ( Si) на рис. 5.29 а имеет наибольший среди современных СИД квантовый выход за счет снижения оптических потерь при выходе излучения. Односторонняя ( двухслойная) гетероструктура ( рис. 5.29 6) продемонстрировала все преимущества гетероструктур. [57]
 |
Зависимость температуры Т вещества от.| Зависимость заселенности второй оболочки. [58] |
Этот же вывод можно получить на базе двухуровневой модели ( 274), ( 275) в диффузионном приближении ( 277), анализируя уравнения переноса излучения для потоков FV, F2, 1 / 12 - Оценки параметра 5 показывают, что зависимость выхода излучения в континууме от ширины резонансной линии более сильна для излучения бальмеровского континуума ( фотоионизация с L-оболочки), чем для лайманов-ского. Этот вывод подтверждается в численных расчетах. [59]
Страницы: 1 2 3 4 5