Выход - ключ
Cтраница 2
Частотная характеристика равна комплексной амплитуде гар-моническаго сигнала на выходе условного ключа ( см. фиг. В общем случае эта характеристика зависит от локального времени а. Поэтому у импульсного фильтра имеется множество частотных характеристик. Отметим, что импульсные фильтры без запоминающих элементов редко встречаются на практике, так как при малом интервале дискретности такая система работает как непрерывная, а при большом интервале обычно устанавливают запоминающий элемент. [16]
Назначение выводов: 1 - вход ключа Х1, выход ключа Ут; 2 -выход ключа Y1, вход ключа Х1; 3 -выход ключа У2, вход ключа ХЗ; 4 - вход ключа ХЗ, выход ключа У2; 5 - вход управления Х4; 6 - вход управления Хб; 7 - общий; 8 - вход ключа Х5, выход ключа УЗ; 9 - выход ключа УЗ, вход ключа Х5; 10 - выход ключа Y4, вход ключа Х7; 11 - вход ключа Х7, выход ключа Y4, 12 - вход управления Х8; 13 - вход управления Х2; 14 - напряжение питания. [17]
Для примера на рис. 29 показаны условия изменения места выхода ключа в связи с промерзанием зимой активного слоя: летом, осенью и в начале зимы ключ выходит ниже по склону, а зимой и весной выше. [18]
 |
Зависимость прямого сопротивления МОП-транзистора от напряжения затвор-исток.| Схема ключа на КМОП-транзисторах. [19] |
Здесь также имеет место прохождение сигналов из цепи управления на выход ключа. [20]
Наличие межэлектродных емкостей неизбежно приводит к прохождению управляющих сигналов на выход ключа и дополнительно снижает его быстродействие. Реальная длительность переходных процессов в переключательных схемах на МОП-транзисторах колеблется от микросекунды до десятков наносекунд. [21]
 |
Ключ с и входами и р выходами ( а и схема, поясняющая его дейст -, вне ( б. [22] |
Этим состоянием соответствуют два отличающихся друг от друга напряжения на выходе ключа и тока в нагрузке. [23]
Эта формула дает выражение для автокорреляционной функции дискретного процесса на выходе ключа К. Как видно из формулы ( 53), такой дискретный сигнал стационарен для фиксированного а. [24]
Быстродействие ключевой схемы определяется временами перезаряда эквивалентной емкости Сн на выходе ключа, в которую входят емкость р-п-перехода стока активного транзистора, емкость нагрузки и паразитные емкости. [25]
Однако практически подобрать транзисторы с одинаковыми параметрами невозможно, поэтому на выходе ключа всегда будет присутствовать напряжение помехи. С изменением окружающей температуры уровень напряжения помехи возрастает, что обусловлено температурной нестабильностью параметров транзисторов. [26]
 |
Временная диаграмма формирования фронта выходного. [27] |
В момент перехода транзистора из режима отсечки в режим насыщения на выходе ключа происходит нарастание сигнала. [28]
Благодаря симметрии схем, приведенных на рис. 44, можно устранить на выходе ключа шумы, возникающие в цепи управления, что делает схемы пригодными для коммутации сигналов очень малых уровней. [29]
В результате почти все входное напряжение U падает на сопротивлении Дх, при этом потенциал на выходе ключа ( точка А) близок к нулю. [30]
Страницы: 1 2 3 4