Выход - оже-электрон
Cтраница 1
 |
Схема уровней энергии электронов в атоме S и возможные Оже-переходы. [1] |
Выход Оже-электронов находится в прямой зависимости от интенсивности ( или тока) первичного пучка электронов. Оптимальные геометрические условия регистрации Оже-электронов отвечают углу падения первичного пучка 70 - 80 ( угол между направлением падающего пучка и нормалью к поверхности), при этом максимальная интенсивность эмиттируемых электронов оказывается в направлении нормали к поверхности мишени. Эти условия связаны с тем обстоятельством, что глубина выхода Оже-электронов из мишени очень мала по сравнению с глубиной проникновения первичных электронов. [2]
Глубина выхода Оже-электронов является функцией их энергии и в меньшей степени зависит от природы вещества. Так как энергия зонда обычно по крайней мере в три раза превышает энергию рождения Оже-электронов, глубина выхода определяется не областью возбуждения, а средней длиной свободного пробега электронов. Экспериментальные данные различных авторов, собранные в [13], показывают, что длина пробега, а следовательно, и глубина выхода составляют от 0 4 до 4 нм для всех элементов. [3]
Поскольку глубина выхода Оже-электронов очень мала, СОМ - представляет собой метод, позволяющий создавать изображения, контраст которых будет зависеть от разности концентраций выбранного химического элемента в разных точках поверхностного слоя толщиной в несколько атомных слоев. [4]
 |
Спектры Оже-электронов от поверхности монокристалла ( 100 меди до и после нанесения слоев Аи.| Спектры Оже-электронов ( а для поверхности. [5] |
Основное преимущество метода состоит в малой глубине выхода Оже-электронов благодаря сравнительно малой энергии этих электронов. [6]
Толщина анализируемого слоя пов-сти твердого тела определяется глубиной выхода оже-электронов, к-рая зависит от их энергии и, напр. [7]
При использовании данного метода не нужно знать сечение ионизации и выход оже-электрона. [8]
Поскольку вероятность радиационного перехода с повышением Z увеличивается пропорционально Z4, вероятность выхода оже-электрона уменьшается. Соответственно РСМА лучше подходит для тяжелых элементов, а ЭОС - для легких. [9]
 |
Зависимость глубины выхода оже-электронов различных линий от энергии падающих электронов для некоторых металлов. [10] |
В настоящее время имеется довольно большое число экспериментальных и теоретических работ [147, 148], посвященных анализу глубины выхода оже-электронов. В общих чертах можно утверждать, что глубина выхода оже-электронов D зависит от материала образца, энергии соответствующего оже-перехода и не зависит от энергии пучка бомбардирующих электронов. На рис. 14.3 приведены зависимости глубин выхода оже-электронов различных линий для нескольких металлов в зависимости от энергии падающих электронов. [11]
Явления неупругого рассеяния электронов, бомбардирующих поверхность исследуемого материала, которые, в частности, ограничивают глубину выхода оже-электронов и электронов метода ИЭС, можно также использовать для получения информации о химическом состоянии и электронной структуре поверхности твердого тела. [12]
На практике Ер заметно выше, чем энергия оже-электронов ( обычно втрое), следовательно, глубина проникновения возбуждающих электронов значительно больше, чем глубина выхода оже-электронов. [13]
Самое простое - это измерить площадь под пиком в Оже-спектре от каждого элемента, лежащего на поверхности, и воспользоваться уравнением ( 2.6.) Если бы мы знали сечения ионизации Ф, глубину выхода Оже-электронов г и ток падающего пучка / О) то имели бы абсолютный способ определения состава. Но эта информация обычно известна с недостаточной точностью, либо вообще отсутствует. Более реальный подход состоит в измерении отношения площадей или амплитуд соответствующих Оже-пиков в спектрах, снятых от исследуемого образца с неизвестным составом и от эталонных образцов чистых элементов или от эталонного соединения с известным поверхностным составом. Если эти измерения выполнены на одном и том же приборе, с одной и той же геометрией расположения образца, электронной пушки и энергоанализатора, и с одним и тем же током пучка, то многие факторы в уравнении (2.6) сокращаются. [14]
 |
Зависимость коэффициента обратного рассеяния г от величины ( / при падении электронов по нормали. [15] |
Страницы: 1 2