Квантовый выход - фотоионизация
Cтраница 1
 |
Спектральная зависимость собственной фотопроводимости. [1] |
Квантовый выход фотоионизации г ( X) учитывает, что часть энергии поглощенных фотонов расходуется без образования неравновесных электронов и дырок. Вблизи края собственного поглощения для некоторых полупроводников т) ( А) 1, что может быть связано с экситон-ным поглощением. [2]
Определение квантового выхода фотоионизации - трудная экспериментальная задача, для решения которой следует произвести абсолютные измерения светового потока на выходе спектрального прибора и после прохождения излучения через ионизационную камеру. Эти измерения достаточно сложны и содержат много источников ошибок, поэтому там, где это возможно, для абсолютных энергетических измерений лучше применять ионизационные камеры, наполненные одноатомными газами, так как их квантовый выход ионизации известен. [3]
 |
Схема закрытой ионизационной камеры. [4] |
Если известно сечение поглощения и квантовый выход фотоионизации, то по силе ионного тока можно найти величину падающего светового потока. [5]
Величины ] и - чр называются квантовым выходом фотоионизации. Если световая проводимость обусловлена поглощением локализованными состояниями, то одна из величин - i n или i p - равна нулю. Других значений с точки зрения протекания элементарных процессов быть не должно. Однако любая физическая величина имеет смысл только в том случае, если указан метод ее измерения. Очевидно, что величину i можно измерить только по величине 8л или Sp. Экспериментально измеряемая величина - ц имеет различные значения - как меньше единицы, так и больше единицы. Это означает только, что в полупроводнике происходят какие-то вторичные эффекты, в результате которых на каждый поглощенный квант приходится эффективное число свободных носителей т л и цр, превосходящее единицу. [6]
Величины T) n и rjp называют квантовым выходом фотоионизации. [7]
 |
Схема многоканальной фотоионизационной камеры. [8] |
Введем следующие обозначения: im - зонный ток с т-й пластины, у - квантовый выход фотоионизации газа, а - сечение поглощения, Z / и L - расстояние между пластинами и их длина, Фп - световой поток у входа в камеру. [9]
Таким образом, удельная фоточувствительность р называемая также фотоответом, определяется важнейшими параметрами полупроводника: временем жизни и подвижностью носителей заряда, коэффициентами поглощения и отражения света в данной спектральной области, квантовым выходом фотоионизации. [10]
Диссоциация экситонов на границе с электродом или на поверхностной примеси может приводить к инжекции положительных или отрицательных носителей заряда в органический кристалл ( см. разд. Измеряя спектральные зависимости квантового выхода фотоионизации, можно определять длины диффузии экситонов ( см. разд. Из выражения (1.7.8.08) следует, что вероятность инжекции носителя в кристалл Ф изменяется пропорционально коэффициенту поглощения света k, если диффузионная длина меньше глубины поглощения света. В экспериментах, представленных на рис. 3.1.6 и 3.1.7, в кристалл преимущественно инжектируются носители какого-либо одного знака. [12]
При измерении световых потоков фотоумножитель не применяется. Он необходим только для измерений квантового выхода фотоионизации. [13]
Страницы: 1