Cтраница 1
Квантовый выход фотоэффекта для металлов при v v0 возрастает с увеличением v вплоть, до значений vi Wi I / ft, где Wt - значение энергии электрона на самом нижнем уровне зоны проводимости. При fa 2ЛМИН становится возможным явление каскадного фотоэффекта ( выбивания одним фотоном двух и более фотоэлектронов), вызывающее увеличение квантового выхода фотоэффекта. [1]
Квантовым выходом фотоэффекта называется отношение количества вылетевших электронов к количеству поглощенных фотонов. [2]
Считать, что квантовый выход фотоэффекта остается во всех случаях неизменным. [3]
Нетрудно представить себе, насколько сложным оказывается расчет квантового выхода фотоэффекта. [4]
В работе [1141] предполагается, что существует взаимосвязь между тем, насколько легко окисляется мероцианин, и квантовым выходом фотоэффекта этого вещества. Однако проверить справедливость этого утверждения достаточно трудно, поскольку фотоэлектрические характеристики солнечных элементов плохо воспроизводятся. Их свойства сильно зависят от степени кристалличности, природы и распределения легирующих примесей, устойчивости красителя к действию освещения. [5]
Наибольшей чувствительностью ( 0 2 - 0 5 А-лм -) обладают германиевые фотоприемники с р-п-р-переходами - фототранзисторы. Значительное увеличение квантового выхода фотоэффекта ( до т) к1 0) в фотоприемниках этого типа объясняется возникновением вторичных процессов. Фотогальваническим приемником излучения без внутреннего усиления фототока ( в отличие от фототранзистора - с дополнительным усилением фототока на втором р-л-перехо-де) является фотодиод. Наиболее распространены германиевые и кремниевые фотодиоды. [6]
Квантовый выход фотоэффекта для металлов при v v0 возрастает с увеличением v вплоть, до значений vi Wi I / ft, где Wt - значение энергии электрона на самом нижнем уровне зоны проводимости. При fa 2ЛМИН становится возможным явление каскадного фотоэффекта ( выбивания одним фотоном двух и более фотоэлектронов), вызывающее увеличение квантового выхода фотоэффекта. [7]
Знак световых носителей тока у большинства органических полупроводников дырочный. Некоторые адсорбированные пары и газы существенно изменяют фотоэлектрическую чувствительность органических полупроводников. Квантовый выход фотоэффекта невелик и составляет 10 1 - 10 - 7 эл / квант. На примере полифенилацетилена показано, что энергия активации темновой проводимости не зависит от молекулярного веса и совпадает с максимумом свечения в спектрах люминесценции. [8]
Рассмотрим основные направления, по которым могут осваиваться эти диапазоны с точки зрения чувствительности ПВМС, у - в УФ-чувствительные ПВМС, Основные ограничения на чувствительность ПВМС в УФ-области спектра накладываются возрастанием поглощения света в слоях структуры: в подложке, в прозрачном электроде. Большой коэффициент поглощения 7 и УФ-излучсния приводит к поглощению этого излучения в приповерхностной области полупроводников, характеризуемой высокой скоростью рекомбинации носителей. Это снижает фоточувств ительность полупроводников в этой области спектра. Кроме того, снижается квантовый выход фотоэффекта из-за появления, новых каналов возбужде. [9]