Ион - решетка
Cтраница 2
В полуклассических моделях учитывается периодический потенциал ионов решетки. В рамках таких моделей траектории электронов не описываются классическими уравнениями движения. Столкновения электронов и ионов жс не являются основным механизмом рассеяния, поскольку при решении уравнения Шредингсра учитывается влияние решетки. [16]
Индикатор быстро адсорбируется путем обмена с ионами решетки на поверхности кристалла и затем медленно внедряется в кристаллическую решетку во время последующей рекристаллизации осадка. [17]
Если бы электроны не сталкивались с ионами решетки, длина свободного пробега, а следовательно, и проводимость были бы бесконечно велики. Таким образом, согласно классическим представлениям электрическое сопротивление металлов обусловлено соударениями свободных электронов с ионами, помещающимися в узлах кристаллической решетки металла. [18]
В трактовке Лоренца закон рассеяния на ионах решетки может быть обобщен ( см. Ричардсон [5] или Вильсон [1]); распределение скоростей вводится посредством функции распределения. [19]
Атомы металлов могут внедряться в тесные междоузлия ионов решетки лишь в том случае, если они резко уменьшают свои размеры, лишившись внешних электронов, которые обусловливают электропроводность - типа. Ионы многих металлоидов, имеющие большие радиусы, не могут внедряться в междоузлия ионных соединений. [20]
Атомы металлов могут внедряться в тесные междоузлия ионов решетки лишь в том случае, если они резко уменьшают свои размеры, лишившись внешних электронов, которые обусловливают электропроводность n - типа. Ионы многих металлоидов, имеющие большие радиусы, не могут внедряться в междоузлия ионных соединений. [21]
При понижении темлературы частота и размах колебаний ионов решетки уменьшаются, свободным электронам легче совершать свое движение в определенном направлении. Поэтому сопротивление проводника с понижением температуры уменьшается. [22]
Поглощение в инфракрасном диапазоне обусловлено оптическими колебаниями ионов решетки. [23]
Электроны проводимости при своем движении сталкиваются с ионами решетки, в результате чего устанавливается термодинамическое равновесие между электронным газом и решеткой. По теории Друде - Лоренца, электроны обладают такой же энергией теплового движения, как и молекулы одноатомного газа. [24]
Электроны проводимости в металле и полупроводнике взаимодействуют с ионами решетки, поэтому их энергия в металле и полупроводнике меньше, чем энергия свободных электронов в вакууме. Чтобы электрон проводимости покинул твердое тело, ему нужно сообщить дополнительную энергию. [25]
При своем перемещении по кристаллу электрон сталкивается с ионами решетки, изменяет в этих столкновениях направление движения и частично величину своей кинетической энергии, а значит, и скорость направленного движения. Рассеяние электронов на кристаллической решетке рассматривается как классическое упругое соударение электронов с атомами и ионами. Очевидно, поскольку масса электрона много меньше массы атома, доля кинетической энергии, теряемая в одном соударении, должна быть невелика. [26]
Коэффициент самодиффузии ионов Ag4 относится к средней подвижности всех ионов решетки. [27]
 |
Обмен ионами свинца между сульфатом свинца и его раствором14 при 25 С. [28] |
На скорость старения значительное влияние оказывает присутствие избыточного количества ионов решетки в растворе. [29]
Если в растворе при осаждении присутствуют ионы, изоморфные ионам решетки, могут образовываться твердые растворы. К этому же приводит процесс послеосаждения. Вследствие адсорбции концентрация ионов на границе раздела фаз больше, чем в объеме раствора; поэтому на границе фаз произведение растворимости некоторого соединения между адсорбированными и имеющимися в растворе посторонними ионами может быть превзойдено, хотя в самом растворе оно не достигается. [30]
Страницы: 1 2 3 4