Cтраница 1
Вычисление восприимчивости в слабых полях является несколько более сложной задачей. Необходимо знать ход изменения энергетических уровней с приложенным полем. Это изменение далеко не является линейным и, кроме того, зависит от ориентации поля относительно кристаллографических осей. [1]
Вычисление восприимчивости в слабых полях является несколько более сложной задачей. Необходимо знать ход изменения энергетических уровней с приложенным полем. Это изменение далеко не является линейным н, кроме того, зависит от ориентации поля относительно кристаллографических осей. [2]
Вычисление восприимчивостей высших порядков читатель может выполнить самостоятельно как упражнение. [3]
При вычислении восприимчивости для этого эффекта уже нельзя пренебрегать временами релаксации ( члены с затуханием) резонансных промежуточных состояний. Оценки показали, что при резонансном эффекте комбинационного рассеяния восприимчивости могут на несколько порядков превосходить восприимчивости-нормального эффекта. [4]
В нижеприведенном вычислении восприимчивостей первого и высших порядков мы используем так называемое необратимое приближение, в котором диагональные элементы фиксируются в определенном начальном состоянии, определяемом только тепловым резервуаром. Это означает, что можно пренебречь изменениями населенностей, обусловленными полем излучения. [5]
Поэтому задача вычисления ионной восприимчивости из экспериментальных данных подобна задаче нахождения ионных рефракций и некоторых других свойств. Имеются две важные задачи, требующие установления ряда стандартных значений для ионной восприимчивости: первая - это сравнение с различными теоретическими значениями для ионов, и вторая - получение ряда точных диамагнитных поправочных констант для парамагнитных веществ. [6]
Вообще говоря, вычисление восприимчивостей (5.4.9) - довольно сложная задача, но она значительно упрощается, если равновесную систему можно рассматривать как идеальный газ квазичастиц. [7]
Изменение макроскопической величины / / в изотропной жидкости может быть лишь квадратичным по полю Н ( являющимся при вычислении восприимчивости малой величиной), между тем как 8 8 первого порядка малости по полю. [8]
Чтобы полностью учесть такое расплывание заряда иона, мы в следующем разделе просуммируем все вклады; теперь же рассмотрим только те члены, которые будут важны при вычислении восприимчивости. [9]
Когда Пантелидес выполнял свои исследования, еще не были известны универсальные значения матричных элементов. Этот расчет похож на вычисление восприимчивости для кристаллов с тетраэдрической симметрией, выполненное методом диполей на связях на основе уравнения (5.7) в разд. [10]
Предположение об одинаковой ориентации мы сможем позднее без трудностей отбросить. Это можно сделать, если представить себе наложение различных независимых частичных ансамблей, внутри которых имеет место та или иная ориентация и наложение которых воспроизводит реальное распределение. Тогда при вычислении восприимчивостей возникает некоторое усреднение по ориентациям ( ср. [11]
Мы рассмотрим только небольшую часть полученных результатов. Очевидно, что знание величины расщепления самых низких энергетических уровней дает возможность вычислить их вклад в теплоемкость. О таком уменьшении нужно помнить при вычислении восприимчивостей. [12]
Чтобы применить эгу формулу, нужно количественно оценить мультиплетные интервалы из экранирующей константы. Эта константа обычно получается из данных рентгеновского анализа, но рентгеновские линии излучения, получающиеся при переходе с уровня 4 /, появляются только после того, как этот уровень заполнится; следовательно, экранирующая константа должна быть определена косвенно из атомов более тяжелых, чем редкоземельные. Неточность этого метода состоит в том, что экранирующая константа может быть равна 33 или 34, так как числа в пределах 30 - 32 и 35 - 38 не совпадают с опытными данными для самария. Как для самария, так и для европия любое значение экранирующей константы при вычислении восприимчивости приводит к величине, хорошо совпадающей с опытными данными. [13]
Например, приходилось исключать все случаи, в которых частота некоторой компоненты поля излучения или какая-нибудь суммарная или разностная частота попадает в ( острый. При последовательном квантовом описании удается избежать возникновения таких проблем путем автоматического учета различных механизмов затухания, например радиационного затухания ( ср. Поэтому важно расширить модели таким образом, чтобы они позволяли правильно учесть ограниченную память атомной системы и были применимы для исследования резонансных эффектов ( ср. С точки зрения уменьшения расчетных трудностей весьма целесообразными оказались модели, в которых взаимодействие всех отдельных атомных систем между собой и с другими системами со многими степенями свободы не учитывается в явном виде. Вместо такого учета в уравнения для отдельной атомной системы вводится глобальный механизм потерь в виде связи с тепловым резервуаром. Такой подход мы уже описали в разд. При этом мы обсудим наиболее подробно вычисление восприимчивостей первого порядка, а затем обобщим результаты на высшие порядки. [14]