Дальнейшее вычисление

Cтраница 1

Дальнейшее вычисление требует задания зависимости удельной потенциальной энергии деформации от инвариантов в явном виде. [1]

Дальнейшее вычисление аналогично произведенному в тексте. [2]

Дальнейшее вычисление сводится к чисто алгебраическим преобразованиям с помощью приведенных в § 22 формул. [3]

Дальнейшее вычисление производится в приближении, в котором все возникающие при интегрировании логарифмы считаются большими величинами. [4]

Дальнейшее вычисление происходит следующим образом. [5]

Дальнейшее вычисление сводится к чисто алгебраическим преобразованиям с помощью приведенных в § 22 формул. [6]

Дальнейшее вычисление происходит следующим образом. [7]

Дальнейшее вычисление в значительной мере повторяет то, которое было уже проделано выше. [8]

Дальнейшее вычисление осуществляется путем представления электронной оболочки молекулы как совокупности, с одной стороны, некоторого числа связей, из которых каждая осуществляется одной парой электронов, и, с другой стороны, электронов, спаренных на внутренних оболочках атомов. [9]

Унификация размеров протяжек и расширение их серийности при использовании системы отверстия ( СА. [10]

Дальнейшее вычисление ведут по единой методике. [11]

Дальнейшее вычисление ведется по следующей схеме. [12]

Кривая нормального распределения случайной погрешности. [13]

Дальнейшее вычисление ведется аналогично описанному выше. [14]

Дальнейшее вычисление интеграла (3.100) возможно в общем виде, для чего необходимо найти комплексные корни уравнения Лг ( ы) 0 и сделать все преобразования, которые были выполнены при вычислении интеграла (3.92), однако, если это возможно, то лучше вычисление выполнять на ЭЦВМ, тем более, что окончательная формула будет очень громоздкой. [15]

Страницы: 1 2 3 4