Вюрцит
Cтраница 3
Для кристаллов со структурой вюрцита приведены значения вдоль осей а и с соответственно. [31]
Структура сходна со структурой вюрцита и отличается тем, что у In2Se3 атомы индия занимают тетраэдрические пустоты так, что один их слой остается полностью свободным. [32]
 |
Структуры трех модификаций Ga2S3. [33] |
Отклонения от идеальной, типа вюрцита, структуры a - Ga2S3 вызваны главным образом тетраэдрическим окружением вакансий. Наличие вакансий в структуре вызывает сжатие тетраэдров серы вокруг этих вакансий, что ведет к отклонению от идеальной плотной упаковки атомов серы. Наиболее выгодное расположение вакансий - параллельно оси с, которая является одной из ромбоэдрических осей, что вызывает сжатие в этом направлении, в результате чего скорее образуется моноклинная ячейка, нежели ромбоэдрическая. [34]
 |
Расположение междоузлий в ГЦК-решетке. X - тетраэдрические, О - окта.| Расположение междоузлий в ОЦК-решетке. [35] |
Полупроводники со структурой алмаза, вюрцита, цинковой обманки и близких к ним являются относительно рыхлыми. Они содержат большие межатомные пустоты, в которых могут легко размещаться междоузельные атомы. Междоузлия в структуре алмаза имеют тетраэдрическое окружение. [36]
На рис. 1.27 изображена структура вюрцита, которая относится к гексагональной сингонии. Ее пространственная группа тождественна плотноупакованным гексагональным решеткам, за исключением того, что в ней отсутствует зеркальная плоскость, перпендикулярная оси С. Ось С является полярной, и плоскости 0001 отличаются друг от друга так же, как плоскости 111 и 111 в решетке сфалерита. [37]
Может кристаллизоваться в структуре типа вюрцита. [38]
Однако различить структуры сфалерита и вюрцита с помощью параметра ионизации Филипса [3] невозможно. Причина этого, по-видимому, заключается в том, что в / i входят только величины, которые были определены из взаимодействия ближайших соседей. Структуры сфалерита и вюрцита, однако, различаются относительным положением атомов следующих слоев. [39]
Может кристаллизоваться Б структуре типа вюрцита. [40]
 |
Структуры трех модификаций Ga2Ss. [41] |
Отклонения от идеальной, типа вюрцита, структуры a - Ga2S3 вызваны главным образом тетраэдрическим окружением вакансий. Наличие вакансий в структуре вызывает сжатие тетраэдров серы вокруг этих вакансий, что ведет к отклонению от идеальной плотной упаковки атомов серы. Наиболее выгодное расположение вакансий - параллельно оси с, которая является одной из ромбоэдрических осей, что вызывает сжатие в этом направлении, в результате чего скорее образуется моноклинная ячейка, нежели ромбоэдрическая. [42]
Для объяснения структуры сфалерита или вюрцита эпитаксиаль-ного слоя в зависимости от того, на какой из полярных поверхностей подложки ( 111) были выращены полупроводники AnIBv, использовался метод, описанный выше. [43]
В алмазоподобных соединениях ( сфалерит, вюрцит) образование четырех связей требует перехода одного-трех электронов от элементов V-VII групп к элементам I-III групп. Переход электронов и поляризация ведут к появлению эффективных зарядов на атомах, поэтому к ковалентной компоненте добавляется небольшая ионная компонента. [44]
В структуре гексагональной модификации ZnS - вюрцита ( см. рис. 162) элементарной ячейкой является призма, в основании которой лежит ромб: а Ъф с, а. [45]
Страницы: 1 2 3 4