Dtl-схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Забивая гвоздь, ты никогда не ударишь молотком по пальцу, если будешь держать молоток обеими руками. Законы Мерфи (еще...)

Dtl-схема

Cтраница 1


Существующие серии DTL-схем первой группы ( например, серия HSM 200 фирмы Хъюджес), как правило, предназначены для работы в диапазоне температур от 0 до 70 С, а серии схем второй группы ( например, серия HSM 930 - HSM 960) обеспечивают нормальную работу в диапазоне температур от - 55 до 125 С.  [1]

Принципиальная схема базового элемента модифицированной DTL-схемы приведена на рис. 1.11, а. Коллекторный ток в схеме определяется нагрузкой, представляющей собой схему И следующего логического элемента. Отсутствие тока через коллекторное сопротивление при открытом транзисторе уменьшает потребляемую мощность и увеличивает время заряда емкости С схемы.  [2]

Известны две наиболее распространенные группы DTL-схем; в первую входят схемы с однотранзисторным усилителем на выходе, во вторую - с усилителем на составном транзисторе. Базовые элементы И-НЕ для двух указанных групп DTL-схем приведены на рис. 1.9, а и б соответственно. Применение усилителя на составном транзисторе позволяет снизить требования к коэффициенту усиления интегральных транзисторов. Такое включение транзисторов позволяет также расширить температурный диапазон работы DTL-схем второй группы.  [3]

Известны две наиболее распространенные группы DTL-схем; в первую входят схемы с однотранзисторным усилителем на выходе, во вторую - с усилителем на составном транзисторе. Базовые элементы И-НЕ для двух указанных групп DTL-схем приведены на рис. 1.9, а и б соответственно. Применение усилителя на составном транзисторе позволяет снизить требования к коэффициенту усиления интегральных транзисторов. Такое включение транзисторов позволяет также расширить температурный диапазон работы DTL-схем второй группы.  [4]

Известны две наиболее распространенные группы DTL-схем; в первую входят схемы с однотранзисторным усилителем на выходе, во вторую - с усилителем на составном транзисторе. Базовые элементы И-НЕ для двух указанных групп DTL-схем приведены на рис. 1.9, а и б соответственно. Применение усилителя на составном транзисторе позволяет снизить требования к коэффициенту усиления интегральных транзисторов. Такое включение транзисторов позволяет также расширить температурный диапазон работы DTL-схем второй группы.  [5]



Страницы:      1