Ток га

Cтраница 3

Зависимость тока от времени при зарядке конденсатора ( обозначения в тексте и схема, эквивалентная конденсатору с абсорбцией. [31]

Строго говоря, схема на рис. 11 является упрощенной и вместо одной абсорбционной ячейки Са га в ней надо использовать несколько, что и отражает злак суммы в формуле ( 55), показывающей спадание тока га со временем. [32]

Мы определили эту поправку, измеряя ток / для лучей, испытавших предварительное поглощение в воздухе, введенном между источником и ионизационной камерой. Из кривой, представляющей зависимость тока га от длины пробега в воздухе, определяется путем экстраполяции доля общей ионизации, потерянная при прохождении сквозь алюминиевый экран. Ионизационный ток, создаваемый внутри угла 2тг - лучами, испускаемыми одним милликюри RaC, равен, следовательно, ( 1944 - - 10) эл. [33]

Такое же напряжение возникает между сеткой и катодом лампы, так как они присоединены к обкладкам конденсатора. Вследствие этого в цепи анода появляется переменный ток га. Эта ЭДС, в зависимости от взаимного направления витков катушек К и L, может либо препятствовать колебаниям тока в контуре, либо способствовать им. [34]

Все характерные для активации явления имеют свои аналогии в физиологии нервной проводимости. Такими аналогами являются реобаза для минимальной плотности тока га, порог возбудимости для минимального количества электричества Q, аккомодация для появления катодных токов и рефрактерносты для значительного повышения величин га и Q в результате репас-сивации. [35]

Эмиссионные характеристики диода ( а, потенциальные диаграммы диода при различных напряжениях ия ( б. [36]

Затем включается источник напряжения накала и с помощью реостата плавно увеличивается напряжение накала до тех пор, пока в цепи анода не появится ток. Выждав некоторое время, пока прогреется лампа и анодный ток перестанет изменяться, записывают значение тока га в таблицу. Измерения повторяют для нескольких значений напряжения накала и и на основе полученных данных строят график. [37]

Схема мостового стабилизатора на кремниевом стабилитроне. [38]

Следует отметить, что К, т мостовой схемы зависит от характера процесса изменения входного напряжения: если хорошо сглаживаются медленные изменения напряжения, то резкие скачки, а тем более пульсации, сглаживаются в несколько раз хуже. Это связано с зависимостью гд от частоты: для стабилитрона Д808 при токе 5 на для медленных изменений тока га 5 ом, а для частоты 50 ец - порядка 1 5 ом. [39]

В моменты появления модулирующего напряжения последовательно с напряжением батареи EQ к аноду лампы через вторичную обмотку Тр НЧ подключается модулирующее напряжение НЧ. В результате изменения анодного напряжения от ЕЛ - - UQ до Ea - UQ происходит переход рабочей точки А на соответствующие статические характеристики лампы, вследствие чего изменяются величины импульсов анодного тока и углы отсечки б, а следовательно, и амплитуды тока га, текущего в контуре. [40]

Уравнению ( 56) соответствует эквивалентная схема, показанная в нижней части того же рисунка. Здесь С - емкость, обусловленная быстрой поляризацией ( деформационной), устанавливающейся практически мгновенно ( за 10 13 - 10 - 15 сек) и определяющей составляющую тока z H; время спадания тока z H определяется значениями С и г ( емкостью и сопротивлением зарядной цепи); Са - абсорбционная емкость, обусловленная замедленной поляризацией ( релаксационной), определяющей составляющую тока га; время спадания тока ia определяется значениями Са и некоторого фиктивного сопротивления га, формально характеризующего медленность спадания тока га; Ваз - сопротивление изоляции, соответствующее сквозному току утечки. [41]

Источник излучения вводится в прибор спустя полчаса после окончания активации с тем, чтобы ВаЛ успел распасться; производят откачку и включают магнитное поле. За активным осадком следят в течение примерно двух часов, производя ряд быстрых перекрестных измерений, дающих ток ia и ток гу в определенные моменты времени. Измеряют также ток га после впуска в прибор воздуха при известном давлении и температуре. [43]

Для сравнения на этом же рисунке приведена статическая анодно-сеточная характеристика лампы, которая всегда располагается выше динамической характеристики. Ниже оси абсцисс в масштабе сеточных напряжений изображена синусоида входного сигнала мвх. Слева показано построение кривой тока га в течение одного периода входного сигнала. Точка А на рис. 6.4 также является точкой покоя лампы. [44]

Величина тока определяется точками пересечения соответствующих анодных характеристик с линией нагрузки. Если анодные характеристики одинаково отстоят друг от друга, то пульсирующий ток га имеет огибающую синусоидальной формы с амплитудой / а. [45]

Страницы: 1 2 3 4