Cтраница 1
Отрицательно заряженный электронный газ, заполняющий промежутки между положительно заряженными ионами металла, является тем цементом, который удерживает ионы в узлах решетки и придает большую прочность металлу. [1]
Металлическая связь осуществляется путем образования из внешних, относительно слабо связанных с ядром электронов отрицательно заряженного электронного газа, организующего положительно заряженные ионы в - плотную, но довольна пластичную кристаллическую решетку. Электроны легко перемещаются от атома к атому, обусловливая высокую электропроводность металла. Большинство металлов имеет одну из трех кристаллических решеток: гексагональную плотноупакованную, гранецентрированную кубическую или объ-емноцентрированную кубическую. Прочность металлической связи увеличивается с повышением концентрации электронного газа. [2]
Металлическая связь осуществляется путем образования из внешних, относительно слабо связанных с ядром электронов отрицательно заряженного электронного газа, связывающего положительно заряженные ионы в плотную, но довольно пластичную так называемую кристаллическую решетку. Электроны легко перемещаются от атома к атому, обусловливая высокую тепло - и электропроводность металла. Большинство металлов имеет одну из трех кристаллических решеток: гексагональную пяотноупако-ванную, гранецентрированную кубическую или объемноцентрированную кубическую. [3]
Металлическая связь возникает при образовании из внешних ( относительно слабо связанных с ядром) электронов отрицательно заряженного электронного газа, в результате чего положительно заряженные ионы создают плотную, но пластичную кристаллическую решетку. Электроны, свободно перемещаясь между атомами, обеспечивают высокую электропроводность металлов. [4]
Металлическая связь в кристаллической решетке металлов обеспечивается притяжением между положительно заряженными ионами, находящимися в узлах кристаллической решетки, и отрицательно заряженным электронным газом. Коллективизированные электроны металлов как бы стягивают положительные ионы, уравновешивая отталкивание между ними. [5]
Металлическая связь в кристаллической решетке металлов обеспечивается притяжением между положительно заряженными ионами, находящимися в узлах кристаллической решетки, и отрицательно заряженным электронным газом. Коллективизированные электроны металлов как бы стягивают положительные ионы, уравновешивая отталкивание между ними. При расстояниях между ионами, равных периоду кристаллической решетки ( 11.1.6.5), возникает устойчивая конфигурация ионов, соответствующая условию равенства сил, стягивающих ионы, и сил их взаимного отталкивания. Наличием электронного газа объясняется хорошая электропроводность и теплопроводность металлов. [6]
Металлическая связь в кристаллической решетке металлов обеспечивается притяжением между положительно заряженными ионами, находящимися в узлах кристаллической решетки, и отрицательно заряженным электронным газом. Коллективизированные электроны металлов как бы стягивают положительные ионы, уравновешивая отталкивание между ними. [7]
Итак, в металле внешние валентные электроны атомов коллективизированы и образуют газ или жидкость, заполняющую межионное пространство. Положительно заряженные ионы стягиваются отрицательно заряженным электронным газом в кристалл. Из сказанного следует, что связь в решетке металла возникает вследствие взаимодействия положительных ионов с электронным газом. [8]
В металлах имеются свободные электроны ( электронный газ), распределенные внутри ионной решетки. Суммарный заряд положительно заряженной ионной решетки и отрицательно заряженного электронного газа равен нулю; заряды распределены в проводнике равномерно, так что у системы нет дипольного момента. Благодаря этому суммарная напряженность электрического поля ионной решетки и электронного газа вне проводника равна нулю и вокруг проводника отсутствует электрическое поле. Именно поэтому проводники при отсутствии тока не взаимодействуют друг с другом. [9]
В металлах внешние электроны атомов ввиду слабой их связи с ядрами отрываются от последних и образуют так называемый электронный газ ( коллективизированные электроны), омывающий положительные ионы, которыми являются атомы, лишенные внешних электронов. Между положительными ионами, с одной стороны, и отрицательно заряженным электронным газом, с другой, имеются большие электростатические силы притяжения. Именно электронный газ объединяет положительные ионы в единое целое - металлическое тело. [10]
В узлах их решетки располагаются положительные ионы металла. Между ними беспорядочно движутся валентные электроны, образующие электронный газ. Положительные ионы и отрицательно заряженный электронный газ вместе создают устойчивую систему. [11]
Электростатическое взаимодействие между положительно и отрицательно заряженными ионами представляет собой ионную связь. Ионная связь отличается от гомеополярной связи, которая является результатом взаимодействия валентных электронов атомов, участвующих в образовании связи. Под металлической связью стали понимать такую связь, когда положительные ионы металла удерживаются вместе в кристаллической решетке вследствие электростатического взаимодействия с отрицательно заряженным электронным газом. Была также выяснена природа сил сцепления между нейтральными, полярными и неполярными молекулами и подвергнуты исследованию силы отталкивания. Целый ряд физических факторов указывает на существование сил отталкивания между частицами. Эти силы противодействуют силам сцепления и обусловливают наличие устойчивых положений равновесия частиц в кристаллических и квазикристаллических системах. [12]
Электростатическое взаимодействие между положительно и отрицательно заряженными ионами представляет собой ионную связь. Ионная связь отличается от гомеополярной связи, которая является результатом взаимодействия валентных электронов атомов, участвующих в образовании связи. Под металлической связью стали понимать такую связь, когда положительные ионы металла удерживаются вместе в кристаллической решетке вследствие электростатического взаимодействия с отрицательно заряженным электронным газом. Была также выяснена природа сил сцепления между нейтральными, полярными и неполярными молекулами и подвергнуты исследованию силы отталкивания. Эти силы противодействуют силам сцепления и обусловливают наличие устойчивых положений равновесия частиц в кристаллических и квазикристаллических системах. [13]
![]() |
Спектр испускания - квантов с. 14 4 эВ ядер 7Fe, образующихся при распаде Со, внедренного в Pd ( концентрация - 10 - %, при Т 0 025 К в поле Н 500 Э, параллельном направлению v-квантов. [14] |
При сближении атомов и образовании кристаллов металлов и сплавов волновые ф-ции валентных электронов перекрываются. Отрицательно заряженный электронный газ удерживает положительно заряженные ионы металла на определенных расстояниях друг от друга. [15]