Следующий элементарный акт
Cтраница 1
Следующий элементарный акт с участием воды может произойти лишь после того, как молекула холина покинет анионный центр фермента. По-видимому, для успеха атаки воды необходимо новое изменение конформации активного центра, которое наступает после диссоциации комплекса фермент - холин и восстановления отрицательного заряда анионной группировки. Молекула воды образует связь с карбонильным кислородом и кислордом тирозина, после чего происходит обратный злектромерный сдвиг и переход протона от воды к тирозину и от имидазола - к гидроксилу серина. При этом выделяется второй продукт реакции - уксусная кислота - и регенерируется фермент в исходной конформации. [1]
Процесс катализа складывается из следующих элементарных актов: диффузии исходных веществ к поверхности катализатора, адсорбции их на катализаторе, образовании на катализаторе промежуточных комплексов, образовании продуктов крекинга, десорбции продуктов крекинга с поверхности катализатора и диффузии их сначала в порах катализатора, а затем в объем. [2]
Авторы этих - работ рассматривают механизм абразивного изнашивания как совокупность следующих элементарных актов: 1) упругое взаимодействие абразивной частицы с металлической поверхностью; 2) пластическое деформирование изнашиваемого металла при внедрении абразивной частицы; 3) процесс смятия ( среза) доли металла абразивной частицей с поверхности изнашиваемого материала. [3]
 |
Зависимости вязкоупругого течения растворов комплексов в гептане при С 0 03 моль / л и 293 К. [4] |
В этом случае структура геля сольвата после механического разрушения успевает отрелаксировать раньше следующего элементарного акта ее деформации. Области сдвиговых напряжений, соответствующие разрушению надмолекулярной структуры растворов [ B ( OCaH13) 4 ] Li - 7zC6H13OH с п 0 4 и 1 0, совпадают. Растворы симметричных комплексов тетраалкилборатов лития тиксотроп-нее ( кривая 3 растворов ттгретп-бутилтриалкилборатов лития ( кривая 2), они текут в более высокой области сдвиговых напряжений. [5]
 |
Зависимости вязкоупругого течения растворов комплексов в гептане при С 0 03 моль / л и 293 К. [6] |
В этом случае структура геля сольвата после механического разрушения успевает отрелаксировать раньше следующего элементарного акта ее деформации. Области сдвиговых напряжений, соответствующие разрушению надмолекулярной структуры растворов [ B ( OC6H13) 4 ] Li - rcCeH13OH с п 0 4 и 1 0, совпадают. [7]
Элементарный акт каталитической реакции осуществляется на активных участках поверхности твердого тела, которые, по-видимому, представляют места с искаженной кристаллической решеткой. Одновременно с этим в результате самого элементарного акта реакции возникает новый участок поверхности катализатора с искаженной кристаллической решеткой. Иными словами, в результате каталитического процесса на поверхности твердого тела возникают новые активные центры, на которых возможно осуществление следующих элементарных актов реакции. [8]
Следует отметить, что присутствие катализатора снижает энергию активации реакций крекинга и благодаря этому скорость каталитического крекинга значительно выше, чем термического. Так, например, каталитический крекинг нафтенов протекает в 500 - 4000 раз быстрее, чем соответствующий термический. В качестве катализаторов используются пористые, обладающие высокой адсорбционной способностью алюмосиликаты, главным образом синтетические. Процесс катализа складывается из следующих элементарных актов: диффузии исходных веществ к поверхности катализатора, адсорбции их на катализаторе, образовании на катализаторе промежуточных комплексов, образовании продуктов крекинга, десорбции продуктов крекинга с поверхности катализатора и диффузии их сначала через поры катализатора в объем. [9]
Можно, например, принять, что конденсированные пленки БАТ представляют собой двумерные кристаллы. Частицы, включенные в идеальный кристаллик, более стабильны, чем частицы на границе этого кристаллика или частицы, расположенные около дефекта решетки. Поэтому химическая реакция начинается на активных центрах, например на дефектах решетки. В результате элементарного акта размеры дефекта увеличиваются, и вероятность осуществления следующего элементарного акта на этом дефекте возрастает. [10]
Страницы: 1