Магнитный ион
Cтраница 3
Пусть, например, соседями магнитного иона в подрешетке В являются также магнитные ионы, с которыми он связан антиферромагнитными взаимодействиями В - В. Предположим также, что этот ион одновременно слабо связан с моментом в подрешетке А посредством, например, единственного взаимодействия А - В. В результате может возникнуть локальная неколлинеарность спинов А и В такого рода, которая наилучшим образом соответствует взаимно противоположным влияниям взаимодействий А - В и В - В. [31]
Соотношения, выражающие влияние взаимодействия магнитных ионов на восприимчивость, были впервые получены Лоренцем и Онзагером. [32]
Авогадро, п - число магнитных ионов в молекуле, g - фактор Ланде, s - спин магнитного иона. [33]
Через /, обозначим долю магнитных ионов в подрешетке А, через [ х - долю ионов в подрешетке В. Через IA обозначим намагниченность подрешетки А при темпера - туре Т, соответствующую идеализированному случаю, когда все магнитные ионы находятся в узлах А. Тогда действительная намагниченность подрешетки А равна ЛЛ. [34]
Для количественного рассмотрения взаимодействия между магнитными ионами нужно знать точное положение всех ионов. [35]
 |
Схематическое изображение элементарной ячейки шпинельной структуры.| Схематическое изображение тетраэдрического ( а, и октаэдричеокого ( б. узлов. [36] |
Неель предположил, что между магнитными ионами подрешеток А и - В имеется сильное отрицательное взаимодействие ч ипа А В, приводящее к антипараллельному расположению спинов магнитных мо ментов) подрешеток. [37]
 |
Схематическое изображение элементарной ячейки шпинельной структуры.| Схематическое изображение тетраэдрического ( а и октаэдрического ( б узлов. [38] |
Неель предположил, что между магнитными ионами подрешеток 1 и В имеется сильное отрицательное взаимодействие типа А В, при-одящее к антипараллельному расположению спинов ( магнитных мо - [ ентов) подрешеток. [39]
 |
Схематическое изображение элементарной ячейки шпинельной структуры.| Схематическое изображение тетраэдрического ( а и октаэдричеекого ( 6 узлов. [40] |
Неель предположил, что между магнитными ионами подрешеток Лий имеется сильное отрицательное взаимодействие типа А В, приводящее к антипараллельному расположению спинов ( магнитных мо - - ментов) подрешеток. [41]
Сам ильменит Fe2 Ti4 04 содержит магнитные ионы Fe2 только в одной подрешетке, образованной последовательностью плоскостей ( 111), перпендикулярной оси третьего порядка ( см. фиг. [42]
Внутренние кристаллические поля, действующие на магнитный ион со стороны соседних атомов, могут оказывать сильное влияние на магнитные свойства вещества. Вызывая расщепление энергетических уровней магнитного иона, они могут приводить к полному или частичному замораживанию орбитальных магнитных моментов, в результате чего магнитные свойства кристалла будут обусловлены в основном спиновыми моментами. Анализ влияния кристаллического окружения на энергетические уровни ионов переходных элементов проводится обычно в рамках так называемой теории внутрикристаллического электрического поля, в предположении в основном о ионном характере связи. Электрическое поле приводит к штар-ковскому расщеплению энергетических уровней основного состояния, причем число компонент, на которое происходит расщепление, зависит только от симметрии окружения. В связи с этим задача о штарковском расщеплении уровней во внутрикристалличе-ском электрическом поле с заданной симметрией может быть решена с помощью теоретико-групповых методов. Для определения величины расщепления необходимо знать уже величину внутри-кристаллического поля. Эта задача при известной величине поля решается обычно методами теории возмущений. При таких расчетах требуются сведения об относительной величине энергии взаимодействия магнитных электронов с внутрикристаллическим полем по сравнению с другими взаимодействиями внутри свободного иона. Для свободного иона основными видами взаимодействия являются кулоновское и спин-орбитальное. [43]
В случае измерения расщепления основного уровня магнитного иона в кристаллическом электрическом поле маловероятно, что удастся точно подобрать нужную частоту высокочастотного генератора. Поэтому на образец накладывается магнитное поле, вызывающее дополнительное магнитное расщепление. [44]
В магнитоупорядоченных диэлектрических кристаллах ближайшими соседями магнитных ионов являются диамагнитные ионы, например кислород или фтор. Что касается удаленных друг от друга магнитных ионов, то их полковые функции почти не п рекрываются, и обменный интеграл для них очень мал. [45]
Страницы: 1 2 3 4