Слабо связанный ион

Cтраница 3

В сравнительно чистых материалах, из которых изготовляются кристаллы, всегда имеются сотые доли процента посторонних примесей, значительно слабее закрепленных в решетке, чем основные ионы. Объяснить, почему эти заведомо слабо связанные ионы не влияют на электропроводность, тогда как дефектные ионы кристалла резко ее повышают, в настоящее время трудно. Среди примесных ионов имеется всегда некоторое число таких, для которых и работа перехода w значительно меньше, чем для основных ионов. Естественно ожидать, что именно эти ионы будут в основном определять проводимость кристалла. [31]

Слабо связанные ионы при наличии достаточной тепловой подвижности могут перебрасываться на значительные расстояния электрическим полем, положительные-в сторону отрицательного электрода, отрицательные-в сторону положительного электрода. На некоторых расстояниях происходит закрепление слабо связанных ионов с образованием пространственных зарядов: положительных в зоне отрицательного электрода, отрицательных в зоне положительного электрода. Неупругий характер перемещения ионов при ионно-релаксационной поляризации связан с необратимым поглощением энергии, следовательно, с увеличением tg 6, с увеличением мощности диэлектрических потерь. Интенсивность ионно-релаксационной поляризации зависит от частоты. Вследствие образования добавочных зарядов за счет переброса ионов, частиц со сравнительной большой массой, на довольно большие расстояния время установления ионно-релаксационной поляризации по сравнению с установлением поляризации упругого ионного смещения велико и различно для разных диэлектриков. Тем не менее, она наблюдается вплоть до сверхвысоких радиочастот. Зависимость диэлектрической проницаемости и tg б, обусловленных ионно-релаксационной поляризацией, от частоты в принципе объясняется так же, как и в случае дипольной поляризации. При малых частотах tg6 оказывается небольшим из-за малого числа переформирований зарядов по направлению электрического поля; при достаточно больших частотах переформирование зарядов начинает отставать от изменений направления электрического поля. [32]

Зависимость удель - личными значениями угла наклона к ной электрической проводимости оси абсцисс (. При температуре диэлектрика от температуры г л. [35]

Обычно в диэлектрике имеется несколько видов носителей заряда. Например, кроме ионов основного вещества могут иметься слабо связанные ионы примесей. [36]

Рассмотрим объяснение сегнетоэлектрических свойств, отвлекаясь для упрощения от конкретных веществ. Возникновение сегнетоэлектрических свойств связано с действием внутреннего поля на слабо связанные ионы, смещение которых из одних равновесных положений в другие приводит к появлению электрической поляризации. [37]

Обычно в диэлектрике имеется несколько видов носителей заряда. Например, кроме ионов основного вещества, могут иметься слабо связанные ионы примесей. [38]

Схемы массопереноса через слой QdaFejOia. [39]

По-видимому, образование гексагональной структуры феррита бария происходит в результате диффузии ионов бария в кислородный слой оксида железа. При избытке в шихте ионов бария против стехиометрии происходит более полное замещение слабо связанных ионов кислорода в структуре Fe2O3, которое вызывает при зарядовом перераспределении изменение валентности ионов железа, а именно, появление двухвалентных ионов железа. [40]

Уравнение (142.12) получено из (142.07) решением относительно PJ. Ps np есть поляризация насыщения, поэтому PS есть максимальное поле Ev созданное слабо связанными ионами. [41]

Потери проводимости обусловлены сквозным движением ионов или электронов и определяются электропроводностью в постоянном поле; релаксационные связаны с перемещением относительно слабо связанных ионов ( электронов) в ограниченных объемах; резонансные ( вибрационные) вызываются поглощением энергии ионами, собственные частоты колебаний которых близки к частоте внешнего переменного поля. [42]

В одном случае адсорбция сопровождается образованием локальных уровней, и в этом смысле металл не отличается от полупроводника. В другом случае локальных уровней не возникает, и хемосорбиро-ванное вещество ( если вообще возможна хемосорбция) находится на поверхности в виде сравнительно слабо связанных ионов. [43]

Частотная зависимость tgB синтетических алюмосиликатов.| Температурная зависимость tg8 натриевоалюмосиликатно-го стекла. [44]

При комнатной температуре потери в натриевоалюмосиликатньтх стек-лах убывают с частотой, так же как и в других щелочносиликатных стеклах, не содержащих алюминий. Очевидно, что резонансные потери в этих стеклах могут быть обнаружены только в области низких температур, где малы потери проводимости и релаксационные потери слабо связанных ионов. [45]

Страницы: 1 2 3 4