Гамма-облучение
Cтраница 2
Комплект обеспечивает измерение доз гамма-облучения от 0 до 5 р на первом поддиапазоне и от 0 до 50 р - на втором. [16]
Возможность и целесообразность применения предпосевного гамма-облучения семян в принципе находят полное одобрение, так как уже установлены основные условия радиостимуляции. [17]
Острые поражения развиваются при однократном равномерном гамма-облучении всего тела и поглощенной дозе выше 0 25 Гр. Гр могут наблюдаться временные изменения в крови, которые быстро нормализуются. Гр возникает чувство усталости, менее чем у 10 % облученных может наблюдаться рвота, умеренные изменения в крови. Смертельные исходы не регистрируются. [18]
Острые поражения развиваются при однократном равномерном гамма-облучении всего тела и поглощенной дозе свыше 0 25 Гр. Гр могут наблюдаться временные изменения в крови, которые быстро нормализуются. Гр возникает чувство усталости, менее чем у 10 % облученных может наблюдаться рвота, умеренные изменения в крови. Гр наблюдается легкая форма острой лучевой болезни, которая проявляется продолжительным снижением числа лимфоцитов в крови ( лимфопенией), возможна рвота в первые сутки после облучения. Смертельные исходы не регистрируются. [19]
Пэ катионному механизму под действием гамма-облучения протекает раздельная и совместная полимеризация изобутилена и стирола в хлористом этиле при - 78 С. Инициирование реакций состоит, вероятно, в том, что сначала в результате облучения отщепляется протон ( преимущественно от молекул растворителя), который затем присоединяется к молекуле мономера; образующийся при этом ион карбония возбуждает дальнейшую полимеризацию. Обрыв цепи осуществляется, по-видимому, за счет отрыва протона от концевого звена макроиона. [20]
Пэ катионному механизму под действием гамма-облучения протекает раздельная и совместная полимеризация изобутилена и стирола в хлористом этиле при - 78 С. Инициирование реакций состоит, вероятно, в том, что сначала в результате облучения отщепляется протон ( преимущественно от молекул растворителя), который затем присоединяется к молекуле мономера; образующийся при этом ион карбония возбуждает дальнейшую полимеризацию. Обрыв цепи осуществляется, по-видимому, за счет отрыва протона от концевого звена макроиона. [21]
Собственный фон установки при отсутствии внешнего гамма-облучения не превышает: детектора 1 с торцовым счетчиком СБТ-13 - 5 имп / мин, детектора 2 со счетчиком СТС-5 - 9 имп / мин; детектора 3 со счетчиком СТС-6 - 3 имп / мин, детектора 4 ( кассета со счетчиком СТС-5, 5 шт. [22]
Для объяснения поведения полупроводника при гамма-облучении Веселовский сделал предположение о наличии механизма, аналогичного принятому для действия окиси цинка при фотохимическом образовании перекиси водорода. Он считает, что гамма-энергия в значительной степени превращается в энергию электронов полупроводника. Он охарактеризовал это явление коэффициентом умножения, который определяет увеличение числа возбужденных электронов в полупроводнике в расчете на поглощенный гамма-квант. Веселовский рассчитал, что в случае окиси цинка энергия, поглощенная при гамма-излучении из Со60 ( 1 23 Мэв), должна соответствовать коэффициенту умножения 4 - Ю5, так как возбуждение электрона от валентной зоны до зоны проводимости требует 3 эв. Эта величина соответствует полосе поглощения окиси цинка, расположенной приблизительно при 3850 А. [23]
Для объяснения поведения полупроводника при гамма-облучении Веселовский сделал предположение о наличии механизма, аналогичного принятому для действия окиси цинка при фотохимическом образовании перекиси водорода. Он считает, что гамма-энергия в значительной степени превращается в энергию электронов полупроводника. Он охарактеризовал это явление коэффициентом умножения, который определяет увеличение числа возбужденных электронов в полупроводнике в расчете на поглощенный гамма-квант. Веселовский рассчитал, что в случае окиси цинка энергия, поглощенная при гамма-излучении из Со60 ( 1 23 Мэв ], должна соответствовать коэффициенту умножения 4 - Ю5, так как возбуждение электрона от валентной зоны до зоны проводимости требует 3 эв. Эта величина соответствует полосе поглощения окиси цинка, расположенной приблизительно при 3850 А. [24]
 |
Знак радиационной опасности.| Карманный дозиметр. [25] |
Для измерения суммарной дозы рентгеновского и гамма-облучения применяют карманные дозиметры. Их внешний вид напоминает ручку для письма. [26]
При изучении влияния химических мутагенов и гамма-облучения на сахарную свеклу использовали районированный в Эстонской ССР сорт Уладовская 752, семена которого были получены с Ула-довской селекционной станции. [27]
Если акриламид и другие кристаллические мономеры подвергаются гамма-облучению, то происходит полимеризация и наблюдается явно выраженная реакция после облучения. Скорость реакции в моменты облучения возрастает с увеличением дозы поглощенной энергии таким образом, как это происходит для кинетической картины процесса в неустановившемся состоянии. Эта картина предусматривает зарождение реакции на определенных участках внутри кристалла, так что реакция протекает негомогенно. Реакция после облучения длится в течение многих месяцев и может быть доведена до конца. [28]
Лица, работающие по гамма-дефектоскопии, подвергаются внешнему гамма-облучению только в период работы с источником. При гамма-облучении загрязнения одежды и тела не происходит. [29]
Опубликованный метод прямого окисления тетрахлорэти-лена, инициированного гамма-облучением [11], не имеет преимуществ и является более трудным и дорогим. [30]
Страницы: 1 2 3 4