Ганна

Cтраница 1

Ганна бывают двух типов: регенеративные в режиме усгойчивого усиления и на основе синхронизированных авгогенераторов. Первые более широкополосны, но обладают существенно меньшим усилением на каскад, чем вторые. В то время как в дециметровом и сантиметровом диапазонах широко применяют транзисторные У. [1]

Траектории электронов. а, б-в однородном постоянном. [2]

Ганна ( см. / анна диод) и лавинно-пролетные диоды, в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах-лампы обратной волны, в субмиллиметровом и ИК-диапаэонах-лазеры. Свободные носители заряда в полупроводниках при низких темп - pax создаются подсветкой. Для увеличения чувствительности применяются модуляц. [3]

Ганна, упругие, в жидких кристаллах и др. Ферромагн. Ганна - области полупроводника с разл. [4]

Ганна, который на высоких частотах обладает отрицательным сопротивлением. [5]

Ганна синхронизируются усиливаемым сигналом. [6]

Ганна определим форму напряжения на диоде и форму тока через диод. [7]

Ганна / пуск - постоянный пусковой ток ЛПД / ут. [8]

Ганна с большей площадью электронно-дырочного перехода и большей площадью тонкой пленки полупроводника. При этом они должны быть однородны не только по толщине, но-и по площади. [9]

Зависимость удельной теплоемкости с от температуры Т для оксидов второй. [10]

Ганна являются твердые растворы. При их использовании пороговые напряженности оказываются ниже, а потребляемая мощность значительно меньше, чем для бинарных соединений. Основные характеристики генераторов Ганна приведены в табл. 20.32. Туннельные диоды являются приборами с отрицательным дифференциальным сопротивлением. [11]

Ганна и Ямады метод расчета критических свойств 23 ел. [12]

Распределение скоростей в плазме, порождаемое плазменной волной, распространяющейся со скоростью VM.| Эффект Ганна. схема структуры полос ров ( пд - плотность доноров, сначала в полупроводнике. [13]

Ганна - также основан на плаз-менной неустойчивости. Рассмотрим специальный полупроводник с двумя зонами проводимости, минимумы энергии которых расположены в различных местах. [14]

Ганна с / т 2 мкм, величиной порогового напряжения 1 В и частотой генерации около 30 ГГц. Однако такой метод производства генераторов Ганна малой длины чрезвычайно труден и слишком трудоемок. [15]

Страницы: 1 2 3 4