Слабосвязанный ион

Cтраница 1

Воздействие электрического поля на пространственную зависимость потенциальной энергии иона. [1]

Слабосвязанные ионы в результате тепловых флуктуации могут переходить из одного положения равновесия в другое, преодолевая потенциальные барьеры. В отсутствие внешнего электрического поля такие перемещения являются случайными и диэлектрик остается неполяризованным. [2]

Во многих диэлектриках имеются слабосвязанные ионы. Это могут быть ионы, находящиеся в междоузлиях, или ионы, локализованные вблизи структурных дефектов. За счет тепловых флуктуации ионы могут переходить из одних положений равновесия в другие, преодолевая потенциальные барьеры. При отсутствии внешнего электрического поля такие перемещения являются случайными и диэлектрик остается неполяризованным. Под действием поля изменяется потенциальный рельеф и появляется некоторое преимущественное перемещение ионов в дефектных областях. [3]

Влияние термической обработки на угол потерь стекол. [4]

Потери второго вида вызываются передвижениями слабосвязанных ионов и должны рассматриваться как потери, обусловленные электропроводностью. Такие потери проявляются обычно при температурах выше 50 - 100 С. [5]

Зависимость tg6 установочной керамики от температуры при частоте. [6]

Потери второго вида вызываются передвижениями слабосвязанных ионов и должны рассматриваться как потери, обусловленные электропроводностью. Такие потери появляются обычно при температурах выше 50 - 100 С. [7]

Макромолекулы полимеров могут быть также источником слабосвязанных ионов. С этим классом полимеров связаны весьма интересные исследования по изучению биологических процессов. [8]

В твердых диэлектриках ионный ток переносится слабосвязанными ионами. Предположим, что концентрация таких ионов равна Ло. Перемещение иона из одного положения равновесия в другое может произойти только тогда, когда будут преодолены силы, связывающие его с соседними частицами. [9]

Модели процессов миграционной поляризации в диэлектриках с неоднородной структурой. [10]

Наконец, в диэлектрике могут иметь место такие слабосвязанные ионы, которые в результате тепловых перебросов, направляемых полем, перемещаются к электродам и там закрепляются, локализуются. Такую поляризацию называют объемно-зарядовой поляризацией или высоковольтной поляризацией. [11]

Это снижение можно объяснять тем, что часть слабосвязанных ионов при повышении напряжения освобождается и увеличивает число свободных ионов. Известное значение может иметь также нагрев слабых мест в диэлектрике током утечки или начало ионизации остаточного воздуха. Кроме того, при напряжениях, близких к пробивному напряжению, уменьшение сопротивления изоляции может объясняться появлением в диэлектрике электронной проводимости. [12]

Зависимость ег и tg6 от температуры на разных частотах ( а и tg6 от частоты для ситалла на основе оксидов ( б ( по М. Д Маш. [13]

В ходе тепловой ионной поляризации твердых диэлектриков переброс слабосвязанных ионов в электрическом поле происходит с потерями энергии. В некоторых диэлектриках с неплотной упаковкой объема частицами, например стеклах, где имеет место ион-но-релаксационная поляризация, также наблюдаются закономерности изменения tg6 от температуры и частоты, характерные для дипольной поляризации. На рис. 5.24 приведены температурные и частотные зависимости для алюмоцинкосиликатного стекла - ситалла на основе оксидов SiOa, А12О3 и ZnO. Существование или отсутствие максимумов tg б в температурной и частотной зависимостях ( рис. 5.24) зависит от условий термообработки стекла. [14]

Молекулы полиэлектролитов, имеющие легко диссоциирующие группы, могут быть источниками слабосвязанных ионов. Полиэлектролиты не накапливают на своей поверхности электростатический заряд, что также свидетельствует о возможности существования достаточно большого числа свободных заряженных частиц. [15]

Страницы: 1 2