Cтраница 1
Генератор шумового тока Гши определяет шум источника сигнала, пересчитанный ко входу транзистора. [1]
![]() |
Эквивалентная схема для расчета коэффициента шума. [2] |
Генератор шумового тока базы / Шб отображает тепловые шумы базового сопротивления г д, не связанные статистически с шумами эмиттерного и коллекторного переходов. [3]
![]() |
Блок-схема антенны с тремя шумовыми генераторами, связанными с болванкой, преобразователем и усилителем. выходные напряжения сигнала us ( t и шума un ( t. [4] |
ОПА параллельно включенного генератора шумового тока не зависит от частоты. [5]
Конвективные шумы отражены в шумовой схеме РК генератором шумового тока конвекции 6i 2K, подключенным параллельно фарадеев-скому сопротивлению электрода. [6]
Шумовые свойства фоторезистора как элемента электрической цепи отражаются генератором шумового тока. Значение этого тока при освещении резистора пропорционально фототоку. Поэтому зависимости шумового тока от уровня возбуждения Ф, напряжения питания U и длины волны света X подобны соответственно энергетической, вольт-амперной и спектральной характеристикам. В некоторых случаях вследствие того, что темно-вое сопротивление фоторезистора очень велико, при регистрации слабых световых сигналов используют дополнительную подсветку. При этом и фотоответ, и шум уменьшаются, однако пороговая чувствительность ухудшается незначительно. [7]
Этот вывод аналогичен тому, который был использован выше для генератора шумового тока 1пт () 9 представляющего шум преобразователя. [8]
Шум диода в режиме насыщения может быть описан, если ввести генератор шумового тока 2 / ae & f с резистором бесконечно большого сопротивления, включенного параллельно диоду. Шум диода может быть измерен. Диод, работающий в режиме насыщения, включается параллельно резонансному LC / - контуру. [9]
В схеме на рис. 3.3 источники шумов внутри четырехполюсника представлены двумя генераторами шумового тока ( / и / 2), действующими параллельно входным и выходным зажимам. [10]
На эквивалентной схеме диода источники поверхностного шума и шума утечки могут быть представлены генераторами шумового тока, включенными параллельно переходу: поверхностный шум обусловлен флуктуациями тока через переход, шум утечки связан с протеканием части тока через параллельную переходу проводящую пленку. Для поверхностного шума ( обусловленного флуктуациями потока инжектированных носителей) места подключения Ril6 и Аымб в эквивалентной схеме, очевидно, будут теми же, что и для дробового шума. Что касается шума утечки, то в обратной ветви вольтамперной характеристики сопротивление р-п перехода Ra значительно превышает RM6, а поэтому несущественно, включено jRM6 в цепь генератора шумового тока ( как на рис. 3.1) или последовательно с R вне этой цепи. Согласно выполненным измерениям для низкочастотного шума роль генератора д шда по срав. [11]
Эквивалентная шумовая схема рис. 4.3 не удобна для практических расчетов шумов усилительных устройств, так как генераторы шумовых токов подключены к внутренней точке б транзистора. [12]
Схема на рис. 3.4 отличается от аналогичной, рассмотренной в работе [3.1], принятым положительным направлением токов и генераторов шумового тока. В соответствии с этим выражения (3.17), (3.18) и (3.19) соответствуют аналогичным формулам в [3.1] с точностью до знака. [13]
Из этих способов оценки шума в применении к транзисторным усилителям следует отдать предпочтение эквивалентному трку насыщенного диода или генератору шумового тока, действующему на входе усилителя. Это объясняется тем, что в качестве входного и выходного параметров сигнала в транзисторном каскаде наиболее удобно использовать токовые величины. [14]
Все шумы, возникающие внутри усилителя, могут быть отнесены к эквивалентным источникам шума в виде генератора шумового напряжения еш у и генератора шумового тока / ш у, которые действуют только на входе усилителя. [15]