Генератор - ганн
Cтраница 2
Шумовые характеристики генераторов Ганна необходимо учитывать при применении их в различных радиотехнических системах. Диоды Ганна не являются малошумящими приборами, поскольку эффективная температура носителей в области домена значительно превышает температуру кристаллической решетки. Шум в диодах Ганна обусловлен случайным изменением от периода к периоду момента зарождения домена, неоднородностью свойств диода в пределах площади поперечного сечения и флюктутации скорости домена сильного поля. Шум генераторов Ганна в значительной степени зависит от той схемы, в которой работает диод Ганна; например, шум генератора, имеющего резистивную схему, всегда больше шума генератора, имеющего резонансную схему включения диода. [16]
Частота генерации генераторов Ганна зависит только от расстояния между электродами. Поэтому ограничения частотного диапазона генераторов Ганна определяются тем, в каких пределах можно практически изменять длину диодов. Как отмечалось в § 5.2, существуют определенные трудности в создании генераторов Ганна с длиной диода более 100 и менее 2 мкм. [17]
Срок службы генераторов Ганна относительно мал, что связано с одновременным воздействием на кристалл полупроводника таких. [18]
 |
Усредненные для многих генераторов Ганна зависимости генерируемой СВЧ-мощности от частоты при непрерывной работе ( 7 и при работе в импульсном режиме ( 2. [19] |
Для создания генераторов Ганна с еще большими частотами генерируемых колебаний, но с меньшими мощностями представляют интерес тройные соединения Ga In Sb, так как в них дрейфовые скорости электронов велики, но меньше пороговые напряженности электрического поля. [20]
 |
Характеристика дио да Ганна в режиме ОНПЗ. [21] |
Рабочие частоты генераторов Ганна, как видно из форму лы (4.24), ограничены величиной Ю10 Гц. При размерах, меньших чем 10 мкм, начинают сказываться неоднородности в кристалле, и получить устойчивые колебания становится трудно. [22]
Выходная непрерывная мощность генераторов Ганна в пролетном режиме обычно составляет десятки - сотни милливатт, а при импульсной работе достигает сотен ватт. [23]
Коэффициент полезного действия генераторов Ганна может быть различным ( от 1 до 30 %), так как существенно отличаются технологии изготовления приборов и качество исходного полупроводникового материала. [24]
Из приведенного расчета генераторов Ганна в режиме ОНОЗ видно, что при простейшем подходе к анализу частота не влияет на основные выходные характеристики генератора. [25]
Выходная непрерывная мощность генераторов Ганна в пролетном режиме обычно составляет десятки - сотни милливатт, а при импульсной работе достигает сотен ватт. [26]
Коэффициент полезного действия генераторов Ганна может быть различным ( от 1 до 30 %), так как существенно отличаются технологии изготовления приборов и качество исходного полупроводникового материала. [27]
Важным для практического применения генераторов Ганна является вопрос о возможности их частотной перестройки в достаточно широком диапазоне. Из принципа действия генератора Ганна ясно, что частота его-должна слабо зависеть от приложенного напряжения. С увеличением приложенного напряжения несколько возрастает толщина домена, а скорость его движения изменяется незначительно. В результате при изменении напряжения от порогового до пробивного частота колебаний увеличивается всего на десятые доли процента. [28]
Важным для практического применения генераторов Ганна является вопрос о возможности их частотной перестройки в достаточно широком диапазоне. Из принципа действия генератора Ганна ясно, что частота его. С увеличением приложенного напряжения несколько возрастает толщина домена, а скорость его движения изменяется незначительно. В результате при изменении напряжения от порогового до пробивного частота колебаний увеличивается всего на десятые доли процента. [29]
Несмотря на простоту конструкции генератора Ганна, представляющего собой пластинку однородного кристалла арсенида галлия с электропроводностью n - типа с омическими контактами, нанесенными на ее противолежащие стороны, в производстве таких приборов встречаются трудности, связанные прежде всего с воспроизводимостью однородного легирования арсенида галлия. [30]
Страницы: 1 2 3 4