Полупроводниковый генератор

Cтраница 1

Полупроводниковые генераторы имеют габариты и вес, в сотни и тысячи раз меньшие, чем твердотельные и газовые генераторы. Принцип действия этих генераторов основан на некоторых физических явлениях и свойствах полупроводников, сочетание которых определенным образом и создает условия для генерирования излучения. [1]

Полупроводниковые генераторы могут быть выполнены на транзисторах или туннельных диодах. [2]

Схема R - С генератора на одном п / п триоде с прогрессивной R - С цепью токового типа. [3]

Полупроводниковые генераторы по принципу действия ничем не отличаются от ламповых, применяются в диапазоне частот от долей герца до 108 гц и выполняются как L - С, так и Л - С типов. [4]

Колебания подвешенного на нити шарика и колебательный контур, составленный из конденсатора и катушки индуктивности. [5]

Полупроводниковые генераторы синусоидальных колебаний применяют в самых различных областях техники. [6]

Примером полупроводникового генератора ( рис. 4.5, б) может служить генератор, управляемый напряжением, содержащий ПТШ с шириной затвора 300 мкм, два варикапа и соответствующие пассивные согласующие цепи для перестройки частоты генерации. Петлевая линия передачи с индуктивностью приблизительно 1 нГн резонирует с суммарной емкостью ПТШ и катода варикапа. [7]

Распределение дырок ( 1 и электронов ( 2 в базовой области. [8]

Основой полупроводникового генератора света является электронно-дырочный переход. Будем рассматривать прибор, у которого базой служит электронная область. В этом случае для увеличения инжекции дырок в базу при - прямом смещении дырочную область делают более низкоом-ной. Чем больше концентрации электронов и дырок внутри базы ( например, в сечении базы Б Б1), тем больше смещены квазиуровень Ферми для электронов в сторону зоны проводимости и квазиуровень Ферми для дырок в сторону валентной зоны. При этом, чем сечение ББ1 ближе к переходу, тем квазиуровни Ферми более раздвинуты. [9]

Большинство известных полупроводниковых генераторов выполнено на базе электронного ключа с токоог-раничивающим ( активным или индуктивным) сопротивлением, что упрощает схему и резко уменьшает мощность, рассеиваемую полупроводниковыми приборами при коммутации сильных токов. [10]

Схемы генераторов на полупроводниковых триодах.| Графики, поясняющие условия получения мягкого режима самовозбуждения в генераторе на полупроводниковом триоде. [11]

В полупроводниковых генераторах, как и в ламповых генераторах, возможны мягкий и жесткий режимы самовозбуждения. [12]

В полупроводниковых генераторах с независимым возбуждением, а также в генераторах с самовозбуждением может наблюдаться возникновение различных нежелательных видов колебаний. [13]

В полупроводниковых генераторах с самовозбуждением появление нежелательных видов колебаний обычно наблюдается на частотах существенно выше или ниже рабочей частоты генератора. [14]

Схема генератора на полупроводниковом триоде с комбинированным смещением. [15]

Страницы: 1 2 3 4